Ugrás a tartalomra
Merck

666610

Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

packaged for use in deposition systems

Szinonimák:

TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez


About This Item

Lineáris képlet:
[(CH3)2N]4Hf
CAS-szám:
Molekulatömeg:
354.79
MDL-szám:
UNSPSC kód:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

Minőségi szint

Teszt

≥99.99% (trace metals analysis)

form

low-melting solid

reakcióalkalmasság

core: hafnium

mp

26-29 °C (lit.)

sűrűség

1.098 g/mL at 25 °C

SMILES string

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Általános leírás

Alkyl amides of Hafnium provide a convenient and effective atomic layer deposition precursor to smooth and and amorphous hafnium oxide thin films.

Alkalmazás

Used as precursor for atomic layer deposition of Hafnium Oxide nanolaminates, which are used as a reploacement for Silicon oxide in semiconductor devices.

Piktogramok

FlameCorrosion

Figyelmeztetés

Danger

Figyelmeztető mondatok

Veszélyességi osztályok

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

Egyéb veszélyek

Tárolási osztály kódja

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

WGK

WGK 3

Lobbanási pont (F)

109.4 °F - closed cup

Lobbanási pont (C)

43 °C - closed cup

Egyéni védőeszköz

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Applied Physics Letters, 91, 193503-193503 (2007)
Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films
Hausmann DM, Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249, 251-261 (2003)
High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
Rushworth S
Material Matters, 5(4) null
The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition
Monsma D, Becker J
Material Matters, 1(3), 5-5 (2006)

Cikkek

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

Nanocomposite Coatings with Tunable Properties Prepared by Atomic Layer Deposition

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication

The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással