Ugrás a tartalomra
Merck

553123

Sigma-Aldrich

Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV)

≥99.99% trace metals basis

Szinonimák:

TEMAH, Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium(IV)

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez


About This Item

Lineáris képlet:
[(CH3)(C2H5)N]4Hf
CAS-szám:
Molekulatömeg:
410.90
MDL-szám:
UNSPSC kód:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

Minőségi szint

Teszt

≥99.99% trace metals basis

form

liquid

reakcióalkalmasság

core: hafnium

szennyeződések

Purity excludes ~2000 ppm Zirconium

bp

78 °C/0.01 mmHg (lit.)

mp

<-50 °C

sűrűség

1.324 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES string

CCN(C)[Hf](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC

InChI

1S/4C3H8N.Hf/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Általános leírás

Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV) (TEMAH) is a colorlessliquid that is sensitive to water and air. It freezes at -50 °C and boilsaround 78 °C at 0.1 Torr.

Alkalmazás

TEMAH is used as a precursor for atomic layer deposition (ALD)of hafnium oxide (HfO2) thin films. Because HfO2 has a high dielectric constant of 16-25, it is commonly used as a dielectric film in semiconductor fabrication.

TEMAH is ideal for ALD because of its low boiling point and its reactivity with water and ozone. Most importantly, its adsorption is self-limiting on a number of substrates including glass, indium-tin oxide(ITO), and Si(100). Researchers have also used it to deposit thin films ofHfO2 on 2D materials, like MoS2.


TEMAH is also useful precursor in the synthesis of ferroelectric hafnium zirconium oxide and Hf1-xZrxO2 thin films on MoS2 phototransistors. Researchers have also deposited thin films of hafnium nitride (Hf3N4) by ALD alternatively pulsing TEMAH and ammonia.

Tulajdonságok és előnyök

  • Thermally stable.
  • It has sufficient volatility and is suitable for use in vapor deposition.
  • Completely self-limiting surface reactions.

Figyelmeztetés

Danger

Figyelmeztető mondatok

Veszélyességi osztályok

Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - STOT SE 3 - Water-react 1

Célzott szervek

Respiratory system

Egyéb veszélyek

Tárolási osztály kódja

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

WGK

WGK 3

Lobbanási pont (F)

51.8 °F - closed cup

Lobbanási pont (C)

11 °C - closed cup

Egyéni védőeszköz

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter


Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Atomic Layer Deposition of Hafnium Dioxide Films from Hafnium Tetrakis(ethylmethylamide) and Water.
Kukli K, et al.
Chem. Vap. Deposition, 8, 199-204 (2002)
Luqi Tu et al.
Nature communications, 11(1), 101-101 (2020-01-05)
Sensitive photodetection is crucial for modern optoelectronic technology. Two-dimensional molybdenum disulfide (MoS2) with unique crystal structure, and extraordinary electrical and optical properties is a promising candidate for ultrasensitive photodetection. Previously reported methods to improve the performance of MoS2 photodetectors have focused
Jaehyun Yang et al.
ACS applied materials & interfaces, 5(11), 4739-4744 (2013-05-21)
We report on the effect of oxygen plasma treatment of two-dimensional multilayer MoS2 crystals on the subsequent growth of Al2O3 and HfO2 films, which were formed by atomic layer deposition (ALD) using trimethylaluminum and tetrakis-(ethylmethylamino)hafnium metal precursors, respectively, with water
Atomic Layer Deposition of Insulating Hafnium and Zirconium Nitrides.
Becker J S, et al.
Chemistry of Materials, 3497?3501-3497?3501 (2004)

Cikkek

The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással