455199

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

≥99.99%

• Szinonimák: TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)
• Lineáris képlet: [(CH₃)₂N]₄Hf
• CAS-szám: 19782-68-4
• Molekulatömeg: 354.79
• MDL-szám: MFCD01862473
• UNSPSC kód: 12352103
• PubChem Substance ID: 24869038
• NACRES: NA.23

Tulajdonságok

• Minőségi szint: 100
• Teszt: ≥99.99%
• form: low-melting solid
• reakcióalkalmasság: core: hafnium
• mp: 26-29 °C (lit.)
• sűrűség: 1.098 g/mL at 25 °C
• SMILES string: CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C
• InChI: 1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4
• Nemzetközi kémiai azonosító kulcs: ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

Leírás

Általános leírás

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) is an organometallic compound consisting of a central hafnium atom (Hf) surrounded by four dimethylamido ligands (NMe₂). It is commonly used as a CVD/ALD precursor to produce high-quality Hf thin films. It is a solid with low melting point.

Alkalmazás

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) can be used:

• As an atomic layer deposition(ALD) precursor for deposition of hafnium oxide thin films for advanced semiconductor devices.
• As a precursor to fabricate polymer-derived ceramic nanocomposites.
• To prepare HfO₂, CeO₂, and Ce-doped HfO₂ thin films on Ge substrates by using tris(isopropyl-cyclopentadienyl)cerium [Ce(iPrCp)₃] precursors with H₂O via ALD method.
• To produce Hf₃N₄ thin films with TDMAH and ammonia at low substrate temperatures at 150−250 °C.

Analízis megjegyzés

Purity excludes ~2000 ppm Zr.

Biztonsági adatok

• Piktogramok: GHS02,GHS05
• Figyelmeztetés: Danger
• Figyelmeztető mondatok: H228,H261,H314
• Óvintézkedésre vonatkozó mondatok: P210 - P231 + P232 - P280 - P305 + P351 + P338 - P310 - P422
• Veszélyességi osztályok: Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2
• Egyéb veszélyek: EUH014
• Tárolási osztály kódja: 4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water
• WGK: WGK 3
• Egyéni védőeszköz: Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges