Ugrás a tartalomra
Merck

725471

Sigma-Aldrich

Bis(methyl-η5−cyclopentadienyl)methoxymethylzirconium

packaged for use in deposition systems

Szinonimák:

ZRCMMM, ZrD-CO4

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez


About This Item

Lineáris képlet:
Zr(CH3C5H4)2CH3OCH3
Molekulatömeg:
295.53
MDL-szám:
UNSPSC kód:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

Forma

liquid

reakcióalkalmasság

core: zirconium

szín

colorless

bp

110 °C/0.5 mmHg (lit.)

sűrűség

1.27 g/mL±0.01 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES string

C[C]1[C][C][C][C]1.C[C]2[C][C][C][C]2.C[Zr]OC

InChI

1S/2C6H7.CH3O.CH3.Zr/c2*1-6-4-2-3-5-6;1-2;;/h2*2-5H,1H3;1H3;1H3;/q;;-1;;+1

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

LFGIFPGCOXPKMG-UHFFFAOYSA-N

Általános leírás

Atomic number of base material: 40 Zirconium

Alkalmazás

Advanced precursor for atomic layer deposition of ZrO2 thin films. Hafnium and zirconium oxides are leading candidates to replace silicion dioxide as the gate oxide in a variety of semiconductor and energy applications. Excellent properties of HfO2 and ZrO2 films make them especially attractive for gate oxide replacement and as potential insulating dielectrics for capacitive elements in memory devices such as DRAM.

Tulajdonságok és előnyök

Compatible with a variety of oxidants in ALD growth processes across a wide temperature range exhibiting self limiting growth up to 400 °C. Precursor volatility and thermal stability properties enable easy materials transport from bubblers into conventional deposition tools.

Kiszerelés

Packaged in stainless steel cylinders compatible with conventional deposition systems. Precursors may be used in liquid injection systems as dilute solutions and in combination with a variety of other sources to deposit mixed oxides.

Piktogramok

Exclamation mark

Figyelmeztetés

Warning

Figyelmeztető mondatok

Óvintézkedésre vonatkozó mondatok

Veszélyességi osztályok

Acute Tox. 4 Oral - Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2

Tárolási osztály kódja

10 - Combustible liquids not in Storage Class 3

WGK

WGK 3

Lobbanási pont (F)

226.4 °F

Lobbanási pont (C)

108 °C


Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Az ügyfelek ezeket is megtekintették

J. W. Elama
Applied Physics Letters, 91, 253123-253123 (2007)
High-k gate dielectrics: current status and material properties considerations
Wilk, G.D.; Wallace, R.M.; Anthony, J.M.
Journal of Applied Physics, 89, 5243-5243 (2001)
Gutsche, M.; Seidl, H.; Luetzen J.; Birner, A.;
International Electron Devices Meeting, 18-18 (2001)

Cikkek

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

Nanocomposite Coatings with Tunable Properties Prepared by Atomic Layer Deposition

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication

The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.

Összes mutatása

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással