Ugrás a tartalomra
Merck

647764

Sigma-Aldrich

Silicon

wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm

Szinonimák:

Silicon element

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez


About This Item

Lineáris képlet:
Si
CAS-szám:
Molekulatömeg:
28.09
EC-szám:
MDL-szám:
UNSPSC kód:
12352300
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

form

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

Minőségi szint

tartalmaz

boron as dopant

átmérő × vastagság

3 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

sűrűség

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

félvezető tulajdonságok

<100>, P-type

SMILES string

[Si]

InChI

1S/Si

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Fizikai tulajdonságok

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-3 - 40 Ω•cm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″

Tárolási osztály kódja

13 - Non Combustible Solids

WGK

WGK 3

Lobbanási pont (F)

Not applicable

Lobbanási pont (C)

Not applicable

Egyéni védőeszköz

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Bo-Soon Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3622-3626 (2013-07-19)
A subwavelength structure (SWS) was formed via a simple chemical wet etching using a gold (Au) catalyst. Single nano-sized Au particles were fabricated by metallic self-aggregation. The deposition and thermal annealing of the thin metallic film were carried out. Thermal
Chengyong Li et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(3), 2272-2275 (2013-06-13)
Mesoporous Si-C-O fibers were fabricated by air activation of a kind of carbon-rich SiC-C fibers at 600 degrees C. The SiC-C fibers were prepared from the hybrid precursor of polycarbosilane and pitch through melt-spinning, air curing and pyrolysis in nitrogen.
K W Urban et al.
Physical review letters, 110(18), 185507-185507 (2013-05-21)
Newly developed achromatic electron optics allows the use of wide energy windows and makes feasible energy-filtered transmission electron microscopy (EFTEM) at atomic resolution. In this Letter we present EFTEM images formed using electrons that have undergone a silicon L(2,3) core-shell
Hyunhui Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image
Jae Cheol Shin et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW

Cikkek

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Protocols

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással