Ugrás a tartalomra
Merck
Összes fotó(1)

Fontos dokumentumok

View All Documentation

647802

Sigma-Aldrich

Silicon

wafer (single side polished), <100>, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm

Szinonimák:

Silicon element

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez
Összes fotó(1)

About This Item

Lineáris képlet:
Si
CAS-szám:
7440-21-3
Molekulatömeg:
28.09
MDL-szám:
MFCD00085311
UNSPSC kód:
12352300
PubChem Substance ID:
24883552
NACRES:
NA.23

Forma

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

Minőségi szint

100

tartalmaz

phosphorus as dopant

átmérő × vastagság

3 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp

1240 °C
1410 °C (lit.)

sűrűség

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

félvezető tulajdonságok

<100>, N-type

SMILES string

[Si]

InChI

1S/Si

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Related Categories

Fizikai tulajdonságok

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-1 Ωcm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″

Tárolási osztály kódja

13 - Non Combustible Solids

WGK

WGK 2

Lobbanási pont (F)

Not applicable

Lobbanási pont (C)

Not applicable

Egyéni védőeszköz

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number
00906KJ
10725KC

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

COA keresése

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Az ügyfelek ezeket is megtekintették

Slide 1 of 1

1 of 1

Gold coated silicon wafer 99.999% (Au), layer thickness 1000&#160;Å, 99.99% (Ti)

Sigma-Aldrich

643262

Gold coated silicon wafer

Youngin Jeon et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3350-3353 (2013-07-19)
Si-nanowire (NW)-array-based NOT-logic circuits were constructed on plastic substrates. The Si-NW arrays were fabricated on a Si wafer through top-down methods, including conventional photolithography and crystallographic wet etching, and transferred onto the plastic substrates. Two field-effect transistors were fabricated on
Jae Cheol Shin et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW
Hyunhui Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image
Pil Ju Ko et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(4), 2451-2460 (2013-06-15)
The physical properties of porous materials are being exploited for a wide range of applications including optical biosensors, waveguides, gas sensors, micro capacitors, and solar cells. Here, we review the fast, easy and inexpensive electrochemical anodization based fabrication porous silicon
Chengyong Li et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(3), 2272-2275 (2013-06-13)
Mesoporous Si-C-O fibers were fabricated by air activation of a kind of carbon-rich SiC-C fibers at 600 degrees C. The SiC-C fibers were prepared from the hybrid precursor of polycarbosilane and pitch through melt-spinning, air curing and pyrolysis in nitrogen.
View All Related Papers

Cikkek

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Protocols

Negative Photoresist Procedure

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással