Ugrás a tartalomra
Merck
Összes fotó(1)

Fontos dokumentumok

View All Documentation

647675

Sigma-Aldrich

Silicon

wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

Szinonimák:

Silicon element

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez
Összes fotó(1)

About This Item

Lineáris képlet:
Si
CAS-szám:
7440-21-3
Molekulatömeg:
28.09
MDL-szám:
MFCD00085311
UNSPSC kód:
12352300
PubChem Substance ID:
24883416
NACRES:
NA.23

Forma

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

Minőségi szint

100

tartalmaz

boron as dopant

átmérő × vastagság

2 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

sűrűség

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

félvezető tulajdonságok

<100>, P-type

SMILES string

[Si]

InChI

1S/Si

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Related Categories

Alkalmazás

<100> Silicon wafer may be used as a substrate for the epitaxial growth of SiC, and TiN thin films.

Kiszerelés

1EA refers to 1 wafer and 5EA refers to 5 wafers

Fizikai tulajdonságok

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-3 - 40 Ω•cm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″

Tárolási osztály kódja

13 - Non Combustible Solids

WGK

nwg

Lobbanási pont (F)

Not applicable

Lobbanási pont (C)

Not applicable

Egyéni védőeszköz

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number
MKCV0098
MKCR9571
MKCN7297
MKCL8717
MKCJ1312

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

COA keresése

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Epitaxial growth of TiN films on (100) silicon substrates by laser physical vapor deposition.
Narayan J, et al.
Applied Physics Letters, 61(11), 1290-1292 (1992)
Epitaxial growth of 3C?SiC films on 4 in. diam (100) silicon wafers by atmospheric pressure chemical vapor deposition.
Zorman CA, et al.
Journal of Applied Physics, 78(8), 193-198 (2014)
Jaewoo Lee et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3495-3499 (2013-07-19)
A spin-casting process for fabricating polycrystalline silicon sheets for use as solar cell wafers is proposed, and the parameters that control the sheet thickness are investigated. A numerical study of the fluidity of molten silicon indicates that the formation of
Seungil Park et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3397-3402 (2013-07-19)
We investigated the thin film growths of hydrogenated silicon by hot-wire chemical vapor deposition with different flow rates of SiH4 and H2 mixture ambient and fabricated thin film solar cells by implementing the intrinsic layers to SiC/Si heterojunction p-i-n structures.
Hyunhui Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image
View All Related Papers

Cikkek

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Protocols

Negative Photoresist Procedure

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással