Javasolt termékek
gőznyomás
<0.01 mmHg ( 25 °C)
Minőségi szint
Teszt
99.95%
form
bars
ellenállás
8.37 μΩ-cm
mp
156.6 °C (lit.)
sűrűség
7.3 g/mL at 25 °C (lit.)
SMILES string
[In]
InChI
1S/In
Nemzetközi kémiai azonosító kulcs
APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N
Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz
Figyelmeztetés
Danger
Figyelmeztető mondatok
Óvintézkedésre vonatkozó mondatok
Veszélyességi osztályok
STOT RE 1 Inhalation
Célzott szervek
Lungs
Tárolási osztály kódja
6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects
WGK
WGK 1
Lobbanási pont (F)
Not applicable
Lobbanási pont (C)
Not applicable
Egyéni védőeszköz
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
Válasszon a legfrissebb verziók közül:
Már rendelkezik ezzel a termékkel?
Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.
Az ügyfelek ezeket is megtekintették
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed
Highly luminescent water-soluble quaternary Zn-Ag-In-S quantum dots for tumor cell-targeted imaging.
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 15(14), 5078-5083 (2013-03-02)
Exploring the synthesis and biomedical applications of biocompatible quantum dots (QDs) is currently one of the fastest growing fields of nanotechnology. Hence, in this work, we present a facile approach to produce water-soluble (cadmium-free) quaternary Zn-Ag-In-S (ZAIS) QDs. Their efficient
Optical polarization characteristics of semipolar (3031) and (3031) InGaN/GaN light-emitting diodes.
Optics express, 21 Suppl 1, A53-A59 (2013-02-15)
Linear polarized electroluminescence was investigated for semipolar (3031) and (3031) InGaN light-emitting diodes (LEDs) with various indium compositions. A high degree of optical polarization was observed for devices on both planes, ranging from 0.37 at 438 nm to 0.79 at
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 564-567 (2013-05-08)
We investigate Ga0.33In0.67P quantum dot structures appropriate for special lighting applications in terms of structural and optical behaviors. The Ga0.33In0.67P materials form from 2-dimentional to 3-dimensional dots as the nominal growth thickness increases from 0.5 nm to 6.0 nm, indicating
Chemical communications (Cambridge, England), 49(22), 2237-2239 (2013-02-12)
A reduced graphene oxide (RGO)-ZnIn(2)S(4) nanosheet composite was successfully synthesized via an in situ controlled growth process. The as-obtained RGO-ZnIn(2)S(4) composite showed excellent visible light H(2) production activity in the absence of noble metal cocatalysts.
Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.
Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással