Ugrás a tartalomra
Merck

264059

Sigma-Aldrich

Indium

foil, thickness 0.127 mm, 99.99% trace metals basis

Szinonimák:

Indium element

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez


About This Item

Tapasztalati képlet (Hill-képlet):
In
CAS-szám:
Molekulatömeg:
114.82
EC-szám:
MDL-szám:
UNSPSC kód:
12141719
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

gőznyomás

<0.01 mmHg ( 25 °C)

Minőségi szint

Teszt

99.99% trace metals basis

form

foil

ellenállás

8.37 μΩ-cm

vastagság

0.127 mm

mp

156.6 °C (lit.)

sűrűség

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES string

[In]

InChI

1S/In

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Alkalmazás

Indium foil is thermal interface material with high conductance that is used in cryogenics. It can also be used as indium vapor source for the preparation of indium nitride nanowires on a silicon substrate. It may also be used in the time of flight secondary ion mass spectroscopy (ToF-SIMS) for the analysis of powder samples.

Mennyiség

2.3 g = 50 × 50 mm; 9.2 g = 100 × 100 mm

Piktogramok

Health hazard

Figyelmeztetés

Danger

Figyelmeztető mondatok

Óvintézkedésre vonatkozó mondatok

Veszélyességi osztályok

STOT RE 1 Inhalation

Célzott szervek

Lungs

Tárolási osztály kódja

6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects

WGK

WGK 1

Lobbanási pont (F)

Not applicable

Lobbanási pont (C)

Not applicable

Egyéni védőeszköz

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Characteristic fragment ions from lignin and polysaccharides in ToF-SIMS
Tokareva EN, et al.
Wood Science and Technology, 45(4), 767-785 (2011)
Selective-area growth of indium nitride nanowires on gold-patterned Si (100) substrates
Liang CH, et al.
Applied Physics Letters, 81(1), 22-24 (2002)
Cryogen-free operation of 10 V programmable Josephson voltage standards
Howe L, et al.
IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 23(3) (2012)
Yongseok Kwon et al.
Organic letters, 15(4), 920-923 (2013-02-05)
This paper documents the first example of In(III)-catalyzed selective 6-exo-dig hydroarylation of o-propargylbiaryls and their subsequent double-bond migration to obtain functionalized phenanthrenes. Electron-rich biaryl substrates undergo hydroarylation more effectively, and the substrates with various types of substituents on the alkyne
Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással