Ugrás a tartalomra
Merck

303518

Sigma-Aldrich

Tantalum(V) oxide

99% trace metals basis

Szinonimák:

Tantalum pentoxide

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez


About This Item

Lineáris képlet:
Ta2O5
CAS-szám:
Molekulatömeg:
441.89
EC-szám:
MDL-szám:
UNSPSC kód:
12352303
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

Minőségi szint

Teszt

99% trace metals basis

Forma

powder

reakcióalkalmasság

reagent type: catalyst
core: tantalum

sűrűség

8.2 g/mL at 25 °C (lit.)

alkalmazás(ok)

battery manufacturing

SMILES string

O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O

InChI

1S/5O.2Ta

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Általános leírás

Tantalum pentoxide is dielectric in nature making it useful for making capacitors in the electronics industry.

Alkalmazás

Tantalum oxide is intermixed with silicon in gate dielectric structures. It may be used to synthesize hexagonally packed mesoporous tantalum oxide molecular sieves.Ion-beam sputter deposition of tantalum oxide films was investigated for possible optical coating applications.It may be used in making optical glass for lenses and in electronic circuits.

Tárolási osztály kódja

11 - Combustible Solids

WGK

nwg

Lobbanási pont (F)

Not applicable

Lobbanási pont (C)

Not applicable

Egyéni védőeszköz

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Effects of oxygen content on the optical properties of tantalum oxide films deposited by ion-beam sputtering.
H Demiryont et al.
Applied optics, 24(4), 490-490 (1985-02-15)
Synthesis and characterization of hexagonally packed mesoporous tantalum oxide molecular sieves.
Antonelli DM and Ying JY
Chemistry of Materials, 8(4), 874-881 (1996)
Intermixing at the tantalum oxide/silicon interface in gate dielectric structures.
Alers GB, et al.
Applied Physics Letters, 73(11), 1517-1519 (1998)

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással