Ugrás a tartalomra
Merck
Összes fotó(1)

Fontos dokumentumok

View All Documentation

647543

Sigma-Aldrich

Silicon

wafer (single side polished), <111>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm

Szinonimák:

Silicon element

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez
Összes fotó(1)

About This Item

Lineáris képlet:
Si
CAS-szám:
7440-21-3
Molekulatömeg:
28.09
EC-szám:
231-130-8
MDL-szám:
MFCD00085311
UNSPSC kód:
12352300
PubChem Substance ID:
24883544
NACRES:
NA.23

Forma

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

Minőségi szint

100

nem tartalmaz

dopant

átmérő × vastagság

3 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

sűrűség

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

félvezető tulajdonságok

<111>, N-type

SMILES string

[Si]

InChI

1S/Si

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Fizikai tulajdonságok

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity >1,000 Ω•cm
Oxygen content: ≤ 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: ≤ 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″

Tárolási osztály kódja

13 - Non Combustible Solids

WGK

WGK 3

Lobbanási pont (F)

Not applicable

Lobbanási pont (C)

Not applicable

Egyéni védőeszköz

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number
MKCV8980
MKCT2445
MKCR1599
MKCJ0601
MKBX7511V

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

COA keresése

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Az ügyfelek ezeket is megtekintették

Slide 1 of 3

1 of 3

Silicon dioxide single crystal substrate, optical grade, 99.99% trace metals basis, L × W × thickness 10&#160;mm × 10&#160;mm × 0.5&#160;mm

Sigma-Aldrich

634867

Silicon dioxide

Aluminum oxide single crystal substrate, &#60;0001&#62;

Sigma-Aldrich

634875

Aluminum oxide

Gold coated silicon wafer 99.999% (Au), layer thickness 1000&#160;Å, 99.99% (Ti)

Sigma-Aldrich

643262

Gold coated silicon wafer

Jaewoo Lee et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3495-3499 (2013-07-19)
A spin-casting process for fabricating polycrystalline silicon sheets for use as solar cell wafers is proposed, and the parameters that control the sheet thickness are investigated. A numerical study of the fluidity of molten silicon indicates that the formation of
Seungil Park et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3397-3402 (2013-07-19)
We investigated the thin film growths of hydrogenated silicon by hot-wire chemical vapor deposition with different flow rates of SiH4 and H2 mixture ambient and fabricated thin film solar cells by implementing the intrinsic layers to SiC/Si heterojunction p-i-n structures.
Youngin Jeon et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3350-3353 (2013-07-19)
Si-nanowire (NW)-array-based NOT-logic circuits were constructed on plastic substrates. The Si-NW arrays were fabricated on a Si wafer through top-down methods, including conventional photolithography and crystallographic wet etching, and transferred onto the plastic substrates. Two field-effect transistors were fabricated on
Jae Cheol Shin et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW
Hyunhui Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image
View All Related Papers

Cikkek

Molecular Monolayers on Silicon Surfaces

Explore methods for molecular monolayers on silicon surfaces, their properties, and applications in molecular electronics and sensing.

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Protocols

Negative Photoresist Procedure

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással