Ugrás a tartalomra
Merck
Összes fotó(4)

Fontos dokumentumok

View All Documentation

553468

Sigma-Aldrich

Tris(tert-butoxy)silanol

99.999%

Szinonimák:

TBS

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez
Összes fotó(4)

About This Item

Lineáris képlet:
((CH3)3CO)3SiOH
CAS-szám:
18166-43-3
Molekulatömeg:
264.43
MDL-szám:
MFCD00271024
UNSPSC kód:
12352103
PubChem Substance ID:
24879332
NACRES:
NA.23

Minőségi szint

100

Teszt

99.999%

form

solid

bp

205-210 °C (lit.)

mp

63-65 °C (lit.)

SMILES string

CC(C)(C)O[Si](O)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C

InChI

1S/C12H28O4Si/c1-10(2,3)14-17(13,15-11(4,5)6)16-12(7,8)9/h13H,1-9H3

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

HLDBBQREZCVBMA-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Related Categories

Általános leírás

Tris(tert-butoxy)silanol can react with various metal alkyl amides to act as precursors for vapor deposition metal silicates. It also acts as a suitable precursor for deposition of silica.

Alkalmazás

Tris(tert-alkoxy)silanols reacts with tetrakis(dimethylamino)-hafnium vapor(Hf(N(CH3)2)4) for vapor phase deposition of hafnium silicate glass films. Tris(tert-butoxy)silanol is used for atomic layer deposition (ALD) of highly conformal layers of amorphous silicon dioxide and aluminum oxide nanolaminates.

Tárolási osztály kódja

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

Lobbanási pont (F)

Not applicable

Lobbanási pont (C)

Not applicable

Egyéni védőeszköz

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number
SHBQ8219
SHBQ4913
SHBP7049
SHBL5061
SHBL0342

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

COA keresése

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Vapor deposition of metal oxides and silicates: Possible gate insulators for future microelectronics.
Gordon G, et al.
Chemistry of Materials, 13(8), 2463-2464 (2001)
Rapid vapor deposition of highly conformal silica nanolaminates.
Hausmann D, et al.
Science, 298(5592), 402-406 null
Rapid SiO2 Atomic Layer Deposition Using Tris(tert-pentoxy)silanol.
Burton B, et al.
Chemistry of Materials, 20, 7031-7043 (2008)
Jonathan Stewart et al.
Modern pathology : an official journal of the United States and Canadian Academy of Pathology, Inc, 28(3), 428-436 (2014-09-27)
The oncogenic role of WNT is well characterized. Wntless (WLS) (also known as GPR177, or Evi), a key modulator of WNT protein secretion, was recently found to be highly overexpressed in malignant astrocytomas. We hypothesized that this molecule may be
Pedro A Dionísio et al.
Neurobiology of aging, 36(1), 228-240 (2014-12-03)
Alzheimer's disease (AD) is a neurodegenerative disorder hallmarked by the accumulation of extracellular amyloid-β (Aβ) peptide and intraneuronal hyperphosphorylated tau, as well as chronic neuroinflammation. Tauroursodeoxycholic acid (TUDCA) is an endogenous anti-apoptotic bile acid with potent neuroprotective properties in several
View All Related Papers

Cikkek

Silicon Nitride Atomic Layer Deposition: A Brief Review of Precursor Chemistry

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

Progress in Spintronic Materials

Spintronics offer breakthroughs over conventional memory/logic devices with lower power, leakage, saturation, and complexity.

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással