Przejdź do zawartości
Merck

647780

Sigma-Aldrich

Silicon

wafer (single side polished), <100>, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

Synonim(y):

Element krzemowy

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych

Wybierz wielkość

1 EA
818,00 zł
5 EA
3010,00 zł

818,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

Wybierz wielkość

Zmień widok
1 EA
818,00 zł
5 EA
3010,00 zł

About This Item

Wzór liniowy:
Si
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
28.09
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12352300
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

818,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

Formularz

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

zawiera

phosphorus as dopant

rezystywność

1-10 Ω-cm

śr. × grubość

2 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

gęstość

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

właściwości półprzewodników

<100>, N-type

ciąg SMILES

[Si]

InChI

1S/Si

Klucz InChI

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Właściwości fizyczne

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-3 - 40 Ωcm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Kod klasy składowania

13 - Non Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 2

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Hyunhui Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image
Jae Cheol Shin et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW
Jaewoo Lee et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3495-3499 (2013-07-19)
A spin-casting process for fabricating polycrystalline silicon sheets for use as solar cell wafers is proposed, and the parameters that control the sheet thickness are investigated. A numerical study of the fluidity of molten silicon indicates that the formation of
Youngin Jeon et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3350-3353 (2013-07-19)
Si-nanowire (NW)-array-based NOT-logic circuits were constructed on plastic substrates. The Si-NW arrays were fabricated on a Si wafer through top-down methods, including conventional photolithography and crystallographic wet etching, and transferred onto the plastic substrates. Two field-effect transistors were fabricated on
Pil Ju Ko et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(4), 2451-2460 (2013-06-15)
The physical properties of porous materials are being exploited for a wide range of applications including optical biosensors, waveguides, gas sensors, micro capacitors, and solar cells. Here, we review the fast, easy and inexpensive electrochemical anodization based fabrication porous silicon

Produkty

Hybrid organic-inorganic sol-gel materials containing silica were first called “ORMOSILs” in 1984.

Protokoły

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

Questions

Reviews

No rating value

Active Filters

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej