Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(1)

Kluczowe dokumenty

Wyświetl całą dokumentację

647772

Sigma-Aldrich

Silicon

wafer (single side polished), <111>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm

Synonim(y):

Element krzemowy

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(1)

About This Item

Wzór liniowy:
Si
Numer CAS:
7440-21-3
Masa cząsteczkowa:
28.09
Numer MDL:
MFCD00085311
Kod UNSPSC:
12352300
Identyfikator substancji w PubChem:
24883548
NACRES:
NA.23

Formularz

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

Poziom jakości

100

zawiera

boron as dopant

śr. × grubość

3 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

gęstość

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

właściwości półprzewodników

<111>, P-type

ciąg SMILES

[Si]

InChI

1S/Si

Klucz InChI

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Powiązane kategorie

Właściwości fizyczne

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-3 - 40 Ωcm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Kod klasy składowania

13 - Non Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 2

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number
MKCX3484
MKCJ3067
MKCH1976
09015HC

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Wyszukaj dokument COA

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Klienci oglądali również te produkty

Slide 1 of 3

1 of 3

Gold coated silicon wafer 99.999% (Au), layer thickness 1000&#160;Å, 99.99% (Ti)

Sigma-Aldrich

643262

Gold coated silicon wafer

Gold coated glass slide layer thickness 1000&#160;Å, 99.999% (Au)

Sigma-Aldrich

643246

Gold coated glass slide

Silicon nanopowder, &lt;100&#160;nm particle size (TEM), &#8805;98% trace metals basis

Sigma-Aldrich

633097

Silicon

Chengyong Li et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(3), 2272-2275 (2013-06-13)
Mesoporous Si-C-O fibers were fabricated by air activation of a kind of carbon-rich SiC-C fibers at 600 degrees C. The SiC-C fibers were prepared from the hybrid precursor of polycarbosilane and pitch through melt-spinning, air curing and pyrolysis in nitrogen.
Bo-Soon Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3622-3626 (2013-07-19)
A subwavelength structure (SWS) was formed via a simple chemical wet etching using a gold (Au) catalyst. Single nano-sized Au particles were fabricated by metallic self-aggregation. The deposition and thermal annealing of the thin metallic film were carried out. Thermal
Jaewoo Lee et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3495-3499 (2013-07-19)
A spin-casting process for fabricating polycrystalline silicon sheets for use as solar cell wafers is proposed, and the parameters that control the sheet thickness are investigated. A numerical study of the fluidity of molten silicon indicates that the formation of
Hyunhui Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image
Jae Cheol Shin et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW
Wyświetl wszystkie powiązane dokumenty

Produkty

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Hybrid organic-inorganic sol-gel materials containing silica were first called “ORMOSILs” in 1984.

Protokoły

Negative Photoresist Procedure

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej