Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(1)

Dokumenty

647764

Sigma-Aldrich

Silicon

wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm

Synonim(y):

Silicon element

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(1)

About This Item

Wzór liniowy:
Si
Numer CAS:
7440-21-3
Masa cząsteczkowa:
28.09
Numer WE:
231-130-8
Numer MDL:
MFCD00085311
Kod UNSPSC:
12352300
Identyfikator substancji w PubChem:
24883547
NACRES:
NA.23

Postać

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

zawiera

boron as dopant

śr. × grubość

3 in. × 0.5 mm

tw

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

gęstość

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

właściwości półprzewodników

<100>, P-type

ciąg SMILES

[Si]

InChI

1S/Si

Klucz InChI

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Właściwości fizyczne

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-3 - 40 Ω•cm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″
This page may contain text that has been machine translated.

Kod klasy składowania

13 - Non Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Certyfikaty analizy (CoA)

Poszukaj Certyfikaty analizy (CoA), wpisując numer partii/serii produktów. Numery serii i partii można znaleźć na etykiecie produktu po słowach „seria” lub „partia”.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Klienci oglądali również te produkty

Slide 1 of 6

1 of 6

Gold coated silicon wafer 99.999% (Au), layer thickness 1000&#160;Å, 99.99% (Ti)

Sigma-Aldrich

643262

Gold coated silicon wafer

Silicon wafer (single side polished), &#60;111&#62;, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 2&#160;in. × 0.5&#160;mm

Sigma-Aldrich

647799

Silicon

Aldrich&#174; Negative Photoresist Kit I

Sigma-Aldrich

654892

Aldrich® Negative Photoresist Kit I

Silicon pieces, 99.95% trace metals basis

Sigma-Aldrich

343250

Silicon

Strontium titanate single crystal substrate, &#60;100&#62;

Sigma-Aldrich

634689

Strontium titanate

Gold beads, 1-6&#160;mm, 99.999% trace metals basis

Sigma-Aldrich

326542

Gold

Chengyong Li et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(3), 2272-2275 (2013-06-13)
Mesoporous Si-C-O fibers were fabricated by air activation of a kind of carbon-rich SiC-C fibers at 600 degrees C. The SiC-C fibers were prepared from the hybrid precursor of polycarbosilane and pitch through melt-spinning, air curing and pyrolysis in nitrogen.
Bo-Soon Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3622-3626 (2013-07-19)
A subwavelength structure (SWS) was formed via a simple chemical wet etching using a gold (Au) catalyst. Single nano-sized Au particles were fabricated by metallic self-aggregation. The deposition and thermal annealing of the thin metallic film were carried out. Thermal
Youngin Jeon et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3350-3353 (2013-07-19)
Si-nanowire (NW)-array-based NOT-logic circuits were constructed on plastic substrates. The Si-NW arrays were fabricated on a Si wafer through top-down methods, including conventional photolithography and crystallographic wet etching, and transferred onto the plastic substrates. Two field-effect transistors were fabricated on
Jae Cheol Shin et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW
Hyunhui Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image
Wyświetl wszystkie powiązane dokumenty

Produkty

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Hybrid organic-inorganic sol-gel materials containing silica were first called “ORMOSILs” in 1984.

Protokoły

Negative Photoresist Procedure

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej