Przejdź do zawartości
Merck

553468

Sigma-Aldrich

Tris(tert-butoxy)silanol

99.999%

Synonim(y):

TBS

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych

Wybierz wielkość

5 G
473,00 zł
25 G
1780,00 zł

473,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

Wybierz wielkość

Zmień widok
5 G
473,00 zł
25 G
1780,00 zł

About This Item

Wzór liniowy:
((CH3)3CO)3SiOH
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
264.43
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12352103
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

473,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

Poziom jakości

Próba

99.999%

Formularz

solid

bp

205-210 °C (lit.)

mp

63-65 °C (lit.)

ciąg SMILES

CC(C)(C)O[Si](O)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C

InChI

1S/C12H28O4Si/c1-10(2,3)14-17(13,15-11(4,5)6)16-12(7,8)9/h13H,1-9H3

Klucz InChI

HLDBBQREZCVBMA-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Opis ogólny

Tris(tert-butoxy)silanol can react with various metal alkyl amides to act as precursors for vapor deposition metal silicates. It also acts as a suitable precursor for deposition of silica.[1]

Zastosowanie

Tris(tert-alkoxy)silanols reacts with tetrakis(dimethylamino)-hafnium vapor(Hf(N(CH3)2)4) for vapor phase deposition of hafnium silicate glass films.[1] Tris(tert-butoxy)silanol is used for atomic layer deposition (ALD) of highly conformal layers of amorphous silicon dioxide and aluminum oxide nanolaminates.[2][3]
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Kod klasy składowania

11 - Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Rapid vapor deposition of highly conformal silica nanolaminates.
Hausmann D, et al.
Science, 298(5592), 402-406 null
Rapid SiO2 Atomic Layer Deposition Using Tris(tert-pentoxy)silanol.
Burton B, et al.
Chemistry of Materials, 20, 7031-7043 (2008)
Vapor deposition of metal oxides and silicates: Possible gate insulators for future microelectronics.
Gordon G, et al.
Chemistry of Materials, 13(8), 2463-2464 (2001)
Jonathan Stewart et al.
Modern pathology : an official journal of the United States and Canadian Academy of Pathology, Inc, 28(3), 428-436 (2014-09-27)
The oncogenic role of WNT is well characterized. Wntless (WLS) (also known as GPR177, or Evi), a key modulator of WNT protein secretion, was recently found to be highly overexpressed in malignant astrocytomas. We hypothesized that this molecule may be
Pedro A Dionísio et al.
Neurobiology of aging, 36(1), 228-240 (2014-12-03)
Alzheimer's disease (AD) is a neurodegenerative disorder hallmarked by the accumulation of extracellular amyloid-β (Aβ) peptide and intraneuronal hyperphosphorylated tau, as well as chronic neuroinflammation. Tauroursodeoxycholic acid (TUDCA) is an endogenous anti-apoptotic bile acid with potent neuroprotective properties in several

Produkty

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

Spintronics offer breakthroughs over conventional memory/logic devices with lower power, leakage, saturation, and complexity.

Hybrid organic-inorganic sol-gel materials containing silica were first called “ORMOSILs” in 1984.

Questions

Reviews

No rating value

Active Filters

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej