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Merck

R2206

Sigma-Aldrich

ルブレン

powder

別名:

5,6,11,12-テトラフェニルナフタセン

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1 G
¥21,200

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出荷予定日2025年3月31日


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About This Item

実験式(ヒル表記法):
C42H28
CAS番号:
分子量:
532.67
Beilstein:
1917339
EC Number:
MDL番号:
UNSPSCコード:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

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フォーム

powder

品質水準

mp

330-335 °C (lit.)

λmax

299 nm

OLEDデバイス性能

ITO/CuPc/NPD/Alq3:Rubrene (5%): DCM2 (2%)/Alq3/Mg:In

  • Color: red
  • Max. Luminance: 7780 Cd/m2

ITO/PEDOT:PSS/EHCz:Rubrene (1 wt%)/Cs2CO3:ITO
  • Color: red
  • Max. EQE: 0.03 %

SMILES記法

c1ccc(cc1)-c2c3ccccc3c(-c4ccccc4)c5c(-c6ccccc6)c7ccccc7c(-c8ccccc8)c25

InChI

1S/C42H28/c1-5-17-29(18-6-1)37-33-25-13-14-26-34(33)39(31-21-9-3-10-22-31)42-40(32-23-11-4-12-24-32)36-28-16-15-27-35(36)38(41(37)42)30-19-7-2-8-20-30/h1-28H

InChI Key

YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N

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アプリケーション

ケミルミネッセンス研究[1]や遷移金属錯体とのライゲーション研究[2]に用いられます。
ケミルミネッセンス研究や遷移金属錯体とのライゲーション研究に用いられます。

保管分類コード

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

Jan Code

R2206-VAR:
R2206-100MG:
R2206-500MG:
R2206-BULK:
R2206-1G:


最新バージョンのいずれかを選択してください:

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Inorganic Chemistry, 32, 1078-1078 (1993)
Rui M Pinto et al.
Journal of the American Chemical Society, 137(22), 7104-7110 (2015-05-21)
Exciton diffusion is at the heart of most organic optoelectronic devices' operation, and it is currently the most limiting factor to their achieving high efficiency. It is deeply related to molecular organization, as it depends on intermolecular distances and orbital
E Dubuisson et al.
Nanotechnology, 20(31), 315301-315301 (2009-07-15)
To develop highly sensitive biosensors, we made directly available to biological aqueous solutions organic nanocrystals previously grown in the pores of sol-gel films. Through the controlled dissolution of the sol-gel surface, we obtained emerging nanocrystals that remained strongly anchored to
Monolithic complementary inverters based on organic single crystals.
T Uemura et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 22(35), 3938-3941 (2010-08-06)
Y Chen et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 24(20), 2679-2684 (2012-04-14)
The origin of the bias stress effect related only to semiconductor properties is investigated in "air-gap" organic field-effect transistors (OFETs) in the absence of a material gate dielectric. The effect becomes stronger as the density of trap states in the

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