Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(1)

Dokumenty

455199

Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

≥99.99%

Synonim(y):

TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(1)

About This Item

Wzór liniowy:
[(CH3)2N]4Hf
Numer CAS:
19782-68-4
Masa cząsteczkowa:
354.79
Numer MDL:
MFCD01862473
Kod UNSPSC:
12352103
Identyfikator substancji w PubChem:
24869038
NACRES:
NA.23

Próba

≥99.99%

Postać

low-melting solid

przydatność reakcji

core: hafnium

mp

26-29 °C (lit.)

gęstość

1.098 g/mL at 25 °C

ciąg SMILES

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

Klucz InChI

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Powiązane kategorie

Opis ogólny

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) is an organometallic compound consisting of a central hafnium atom (Hf) surrounded by four dimethylamido ligands (NMe2). It is commonly used as a CVD/ALD precursor to produce high-quality Hf thin films. It is a solid with low melting point.

Zastosowanie

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) can be used:
  • As an atomic layer deposition(ALD) precursor for deposition of hafnium oxide thin films for advanced semiconductor devices.
  • As a precursor to fabricate polymer-derived ceramic nanocomposites.
  • To prepare HfO2, CeO2, and Ce-doped HfO2 thin films on Ge substrates by using tris(isopropyl-cyclopentadienyl)cerium [Ce(iPrCp)3] precursors with H2O via ALD method.
  • To produce Hf3N4 thin films with TDMAH and ammonia at low substrate temperatures at 150−250 °C.

Komentarz do analizy

Purity excludes ~2000 ppm Zr.

wyposażenie dodatkowe

Numer produktu
Opis
Cennik

Piktogramy

FlameCorrosion
GHS02,GHS05

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

H228,H261,H314

Zwroty wskazujące środki ostrożności

P210 - P231 + P232 - P280 - P305 + P351 + P338 - P310 - P422

Klasyfikacja zagrożeń

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

Zagrożenia dodatkowe

EUH014

Kod klasy składowania

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

Certyfikaty analizy (CoA)

Poszukaj Certyfikaty analizy (CoA), wpisując numer partii/serii produktów. Numery serii i partii można znaleźć na etykiecie produktu po słowach „seria” lub „partia”.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Atomic layer deposition of CeO2/HfO2 gate dielectrics on Ge substrate
Wan Joo Maeng, et al.
Applied Surface Science, 321, 214-218 (2014)
J. Eur. Ceram. Soc., 35, 2007-2015 (2015)
Tetrakis(dimethylamido)hafnium Adsorption and Reaction on Hydrogen Terminated Si(100) Surfaces
Kejing Li, et al.
The Journal of Physical Chemistry C, 114, 14061-14075 (2010)
Electrical characterization of atomic-layer-deposited hafnium oxide films from hafnium tetrakis (dimethylamide) and water/ozone: Effects of growth temperature, oxygen source, and postdeposition annealing
Hector Garcia, et al.
Journal of Vacuum Science & Technology. A, Vacuum, Surfaces, And Films, 31 (2013)

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej