Przejdź do zawartości
Merck

263230

Sigma-Aldrich

Germanium

chips, 99.999% trace metals basis

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych

Wybierz wielkość

10 G
1160,00 zł
50 G
4440,00 zł

1160,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

Wybierz wielkość

Zmień widok
10 G
1160,00 zł
50 G
4440,00 zł

About This Item

Wzór empiryczny (zapis Hilla):
Ge
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
72.64
Numer WE:
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12141716
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

1160,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

Poziom jakości

Próba

99.999% trace metals basis

Formularz

chips

rezystywność

53 Ω-cm, 20°C

bp

2830 °C (lit.)

mp

937 °C (lit.)

gęstość

5.35 g/mL at 25 °C (lit.)

ciąg SMILES

[Ge]

InChI

1S/Ge

Klucz InChI

GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Powiązane kategorie

Kod klasy składowania

13 - Non Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Lu Dai et al.
Nanoscale, 5(3), 971-976 (2012-12-15)
The controllable fabrication of self-scrolling SiGe/Si/Cr helical nanoribbons on Si(111) substrates is investigated. The initial lateral etching profile of the Si(111) substrates shows a 2-fold rotational symmetry using 4% ammonia solution, which provides guidance for initial scrolling of one-end-fixed nanoribbons
W Streyer et al.
Optics express, 21(7), 9113-9122 (2013-04-11)
We demonstrate strong-to-perfect absorption across a wide range of mid-infrared wavelengths (5-12µm) using a two-layer system consisting of heavily-doped silicon and a thin high-index germanium dielectric layer. We demonstrate spectral control of the absorption resonance by varying the thickness of
Michael Oehme et al.
Optics express, 21(2), 2206-2211 (2013-02-08)
In this paper we investigate the influence of n-type doping in Ge light emitting diodes on Si substrates on the room temperature emission spectrum. The layer structures are grown with a special low temperature molecular beam epitaxy process resulting in
Jin Liu et al.
Dalton transactions (Cambridge, England : 2003), 42(14), 5092-5099 (2013-02-13)
In this study, Zn2GeO4 hollow spheres were successfully fabricated by a template-engaged approach using zinc hydroxide carbonate (Zn4CO3(OH)6·H2O, ZHC) spheres as the template. During the hydrothermal process, Zn(2+) dissolved from the surface of the ZHC spheres could rapidly react with
Maurizio Mattesini et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 25(3), 035601-035601 (2012-12-12)
The magnetic properties, electronic band structure and Fermi surfaces of the hexagonal Cr(2)GeC system have been studied by means of both generalized gradient approximation (GGA) and the +U corrected method (GGA + U). The effective U value has been computed within the

Produkty

Higher transition metal silicides are ideal for anisotropic thermoelectric conversion due to their Seebeck coefficient anisotropy and mechanical properties.

Questions

Reviews

No rating value

Active Filters

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej