Összes fotó(2)
Fontos dokumentumok
366870
Indium(III) phosphide
pieces, 3-20 mesh, 99.998% trace metals basis
Szinonimák:
Indium monophosphide, Indium phosphide
Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez
Összes fotó(2)
About This Item
Lineáris képlet:
InP
CAS-szám:
Molekulatömeg:
145.79
EC-szám:
MDL-szám:
UNSPSC kód:
12352300
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23
Javasolt termékek
Minőségi szint
Teszt
99.998% trace metals basis
form
pieces
reakcióalkalmasság
reagent type: catalyst
core: indium
részecskeméret
3-20 mesh
SMILES string
P#[In]
InChI
1S/In.P
Nemzetközi kémiai azonosító kulcs
GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
Figyelmeztetés
Danger
Figyelmeztető mondatok
Óvintézkedésre vonatkozó mondatok
Veszélyességi osztályok
Carc. 1B - Repr. 2 - STOT RE 1
Tárolási osztály kódja
6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects
WGK
WGK 3
Lobbanási pont (F)
Not applicable
Lobbanási pont (C)
Not applicable
Válasszon a legfrissebb verziók közül:
Már rendelkezik ezzel a termékkel?
Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.
Wenyong Liu et al.
Journal of the American Chemical Society, 135(4), 1349-1357 (2012-12-27)
In this work, we synthesized InP and InAs nanocrystals (NCs) capped with different inorganic ligands, including various molecular metal chalcogenide complexes (MCCs) and chalcogenide ions. We found that MCCs and chalcogenide ions can quantitatively displace organic ligands from the surface
Lorenzo Romeo et al.
Nano letters, 12(9), 4490-4494 (2012-08-02)
Very robust voltage-controlled spin transitions in few-electron quantum dots are demonstrated. Two lateral-gate electrodes patterned on opposite sides of an InAs/InP nanowire are used to apply a transverse electric field and tune orbital energy separation down to level-pair degeneracy. Transport
Martin Hjort et al.
ACS nano, 6(11), 9679-9689 (2012-10-16)
Using both synchrotron-based photoemission electron microscopy/spectroscopy and scanning tunneling microscopy/spectroscopy, we obtain a complete picture of the surface composition, morphology, and electronic structure of InP nanowires. Characterization is done at all relevant length scales from micrometer to nanometer. We investigate
Hidetaka Asoh et al.
Nanotechnology, 23(21), 215304-215304 (2012-05-04)
To fabricate ordered geometric patterns consisting of InP nanoporous structures, a photoresist mask with periodic opening arrays was prepared by sphere photolithography. The diameter and interval of the openings of the photoresist mask could be controlled independently by adjusting the
Vasilis Katopodis et al.
Optics express, 20(27), 28538-28543 (2012-12-25)
We demonstrate the first integrated transmitter for serial 100 Gb/s NRZ-OOK modulation in datacom and telecom applications. The transmitter relies on the use of an electro-optic polymer modulator and the hybrid integration of an InP laser diode and InP-DHBT electronics
Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.
Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással