Ugrás a tartalomra
Merck
Összes fotó(2)

Fontos dokumentumok

View All Documentation

481769

Sigma-Aldrich

Gallium nitride

99.9% trace metals basis

Szinonimák:

Gallium mononitride, Gallium mononitride (GaN)

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez
Összes fotó(2)

About This Item

Lineáris képlet:
GaN
CAS-szám:
25617-97-4
Molekulatömeg:
83.73
EC-szám:
247-129-0
MDL-szám:
MFCD00016108
UNSPSC kód:
12352300
PubChem Substance ID:
24871779
NACRES:
NA.23

Minőségi szint

100

Teszt

99.9% trace metals basis

Forma

powder

mp

800 °C (lit.)

SMILES string

N#[Ga]

InChI

1S/Ga.N

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Alkalmazás

Gallium nitride (GaN) is a wide band gap semiconducting material, which can be used in the development of a variety of electronic devices, such as light emitting diodes (LEDs), and field effect transistors (FETs). It can also be used as a transition metal dopant for spintronics-based applications.

Piktogramok

Exclamation mark
GHS07

Figyelmeztetés

Warning

Figyelmeztető mondatok

H317

Veszélyességi osztályok

Skin Sens. 1

Tárolási osztály kódja

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

Lobbanási pont (F)

Not applicable

Lobbanási pont (C)

Not applicable

Egyéni védőeszköz

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type N95 (US)

Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number
0000314827
0000225639
0000237871
0000196200
MKCC3784

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

COA keresése

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Az ügyfelek ezeket is megtekintették

Slide 1 of 1

1 of 1

Aluminum nitride powder, 10 μm, ≥98%

Sigma-Aldrich

241903

Aluminum nitride

Fabrizio Gaulandris et al.
Microscopy and microanalysis : the official journal of Microscopy Society of America, Microbeam Analysis Society, Microscopical Society of Canada, 26(1), 3-17 (2020-01-21)
One of the biggest challenges for in situ heating transmission electron microscopy (TEM) and scanning transmission electron microscopy (STEM) is the ability to measure the local temperature of the specimen accurately. Despite technological improvements in the construction of TEM/STEM heating
Gallium nitride as an electromechanical material
Rais-Zadeh M, et al.
Journal of Microelectromechanical Systems : A Joint IEEE and ASME Publication on Microstructures, Microactuators, Microsensors, and Microsystems, 23(6), 1252-1271 (2014)
Gallium nitride nanowire nanodevices
Huang Y, et al.
Nano Letters, 2(2), 101-104 (2002)
Sanjay Sankaranarayanan et al.
ACS omega, 4(12), 14772-14779 (2019-09-26)
Growth of gallium nitride nanowires on etched sapphire and GaN substrates using binary catalytic alloy were investigated by manipulating the growth time and precursor-to-substrate distance. The variations in behavior at different growth conditions were observed using X-ray diffractometer, Raman spectroscopy
High-brightness light emitting diodes using dislocation-free indium gallium nitride/gallium nitride multiquantum-well nanorod arrays
Kim H, et al.
Nano Letters, 4(6), 1059-1062 (2004)
View All Related Papers

Cikkek

Conductive Polymers for Advanced Micro- and Nano-fabrication Processes

Conducting polymers such as polyaniline, polythiophene and polyfluorenes are now much in the spotlight for their applications in organic electronics and optoelectronics.

Lanthanide Ions for Solar Cells

Lanthanide ions in spectral conversion enhance solar cell efficiency via photon conversion.

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással