Ugrás a tartalomra
Merck
Összes fotó(1)

Fontos dokumentumok

View All Documentation

357286

Sigma-Aldrich

Indium

foil, thickness 0.5 mm, 99.99% trace metals basis

Szinonimák:

Indium element

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez
Összes fotó(1)

About This Item

Tapasztalati képlet (Hill-képlet):
In
CAS-szám:
7440-74-6
Molekulatömeg:
114.82
EC-szám:
231-180-0
MDL-szám:
MFCD00134048
UNSPSC kód:
12141719
PubChem Substance ID:
24861901
NACRES:
NA.23

gőznyomás

<0.01 mmHg ( 25 °C)

Minőségi szint

100

Teszt

99.99% trace metals basis

Forma

foil

ellenállás

8.37 μΩ-cm

vastagság

0.5 mm

mp

156.6 °C (lit.)

sűrűség

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES string

[In]

InChI

1S/In

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Mennyiség

9.2 g = 50 × 50 mm; 36.8 g = 100 × 100 mm

Piktogramok

Health hazard
GHS08

Figyelmeztetés

Danger

Figyelmeztető mondatok

H372

Óvintézkedésre vonatkozó mondatok

P260 - P264 - P270 - P314 - P501

Veszélyességi osztályok

STOT RE 1 Inhalation

Célzott szervek

Lungs

Tárolási osztály kódja

6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects

WGK

WGK 1

Lobbanási pont (F)

Not applicable

Lobbanási pont (C)

Not applicable

Egyéni védőeszköz

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number
MKCW5497
MKCM5359
MKCK6756
MKBZ3385V
MKBP2387V

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

COA keresése

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Thirumaleshwara N Bhat et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 498-503 (2013-05-08)
The thermal oxidation process of the indium nitride (InN) nanorods (NRs) was studied. The SEM studies reveal that the cracked and burst mechanism for the formation of indium oxide (In2O3) nanostructures by oxidizing the InN NRs at higher temperatures. XRD
Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed
Han-Youl Ryu et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A190-A200 (2013-02-15)
We investigate the dependence of various efficiencies in GaN-based vertical blue light-emitting diode (LED) structures on the thickness and doping concentration of the n-GaN layer by using numerical simulations. The electrical efficiency (EE) and the internal quantum efficiency (IQE) are
Dawei Deng et al.
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 15(14), 5078-5083 (2013-03-02)
Exploring the synthesis and biomedical applications of biocompatible quantum dots (QDs) is currently one of the fastest growing fields of nanotechnology. Hence, in this work, we present a facile approach to produce water-soluble (cadmium-free) quaternary Zn-Ag-In-S (ZAIS) QDs. Their efficient
Ray-Hua Horng et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A1-A6 (2013-02-15)
A wing-type imbedded electrodes was introduced into the lateral light emitting diode configuration (WTIE-LEDs) to reduce the effect of light shading of electrode in conventional sapphire-based LEDs (CSB-LEDs). The WTIE-LEDs with double-side roughened surface structures not only can eliminate the
View All Related Papers

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással