Ugrás a tartalomra
Merck

264040

Sigma-Aldrich

Indium

foil, thickness 0.25 mm, 99.995% trace metals basis

Szinonimák:

Indium element

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez


About This Item

Tapasztalati képlet (Hill-képlet):
In
CAS-szám:
Molekulatömeg:
114.82
EC-szám:
MDL-szám:
UNSPSC kód:
12141719
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

gőznyomás

<0.01 mmHg ( 25 °C)

Minőségi szint

Teszt

99.995% trace metals basis

Forma

foil

ellenállás

8.37 μΩ-cm

vastagság

0.25 mm

mp

156.6 °C (lit.)

sűrűség

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES string

[In]

InChI

1S/In

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Mennyiség

4.6 g = 50 × 50 mm; 18.4 g = 100 × 100 mm

Piktogramok

Health hazard

Figyelmeztetés

Danger

Figyelmeztető mondatok

Óvintézkedésre vonatkozó mondatok

Veszélyességi osztályok

STOT RE 1 Inhalation

Célzott szervek

Lungs

Tárolási osztály kódja

6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects

WGK

WGK 1

Lobbanási pont (F)

Not applicable

Lobbanási pont (C)

Not applicable

Egyéni védőeszköz

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Juan Zhou et al.
Chemical communications (Cambridge, England), 49(22), 2237-2239 (2013-02-12)
A reduced graphene oxide (RGO)-ZnIn(2)S(4) nanosheet composite was successfully synthesized via an in situ controlled growth process. The as-obtained RGO-ZnIn(2)S(4) composite showed excellent visible light H(2) production activity in the absence of noble metal cocatalysts.
Thirumaleshwara N Bhat et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 498-503 (2013-05-08)
The thermal oxidation process of the indium nitride (InN) nanorods (NRs) was studied. The SEM studies reveal that the cracked and burst mechanism for the formation of indium oxide (In2O3) nanostructures by oxidizing the InN NRs at higher temperatures. XRD
D Hermann et al.
Inorganic chemistry, 52(5), 2744-2749 (2013-02-16)
Several metal-organic framework compounds (MOF-5, MIL-68(Ga), MIL-68(In), MIL-53(Al)) were loaded with azobenzene (AZB), as confirmed by XRPD measurements and elemental analysis. By IR spectroscopy, it was shown that the light-induced trans/cis isomerization of AZB in these hybrid host-guest compounds is
Han-Youl Ryu et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A190-A200 (2013-02-15)
We investigate the dependence of various efficiencies in GaN-based vertical blue light-emitting diode (LED) structures on the thickness and doping concentration of the n-GaN layer by using numerical simulations. The electrical efficiency (EE) and the internal quantum efficiency (IQE) are
Annick Bay et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A179-A189 (2013-02-15)
In this paper the design, fabrication and characterization of a bioinspired overlayer deposited on a GaN LED is described. The purpose of this overlayer is to improve light extraction into air from the diode's high refractive-index active material. The layer

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással