Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(3)

Dokumenty

M0753

Sigma-Aldrich

Molybdenum(VI) oxide

ReagentPlus®, ≥99.5%

Synonim(y):

Molybdenum trioxide

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(3)

About This Item

Wzór liniowy:
MoO3
Numer CAS:
1313-27-5
Masa cząsteczkowa:
143.94
Numer WE:
215-204-7
Numer MDL:
MFCD00003469
Kod UNSPSC:
12352303
Identyfikator substancji w PubChem:
329817827
NACRES:
NA.55

Poziom jakości

200

linia produktu

ReagentPlus®

Próba

≥99.5%

Postać

crystals

przydatność reakcji

reagent type: catalyst
core: molybdenum

mp

795 °C (lit.)

ślady kationów

NH4+: ≤0.02%

ciąg SMILES

O=[Mo](=O)=O

InChI

1S/Mo.3O

Klucz InChI

JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Powiązane kategorie

Zastosowanie

Precursor to LAMOX fast ion conductors and superconductors.
Used in the solid state synthesis of a remarkable ternary, reduced molybdenum oxide, Pr4Mo9O18, whose structure contains previously unknown Mo7, Mo13 and Mo19 clusters. The new cluster product is a small band gap semiconductor.

Informacje prawne

ReagentPlus is a registered trademark of Merck KGaA, Darmstadt, Germany

Piktogramy

Health hazardExclamation mark
GHS08,GHS07

Hasło ostrzegawcze

Warning

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

H319,H335,H351

Zwroty wskazujące środki ostrożności

P202 - P261 - P264 - P271 - P305 + P351 + P338 - P308 + P313

Klasyfikacja zagrożeń

Carc. 2 - Eye Irrit. 2 - STOT SE 3

Organy docelowe

Respiratory system

Kod klasy składowania

11 - Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 1

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Certyfikaty analizy (CoA)

Poszukaj Certyfikaty analizy (CoA), wpisując numer partii/serii produktów. Numery serii i partii można znaleźć na etykiecie produktu po słowach „seria” lub „partia”.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Di-Yan Wang et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 24(25), 3415-3420 (2012-06-08)
A heterojunction photodiode with NIR photoresponse using solution processable pyrite FeS(2) nanocrystal ink is demonstrated which has the advantages of earth-abundance and non-toxicity. The device consists of a FeS(2) nanocrystal (NC) thin film sandwiched with semiconducting metal oxides with a
Seiichiro Murase et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 24(18), 2459-2462 (2012-04-11)
An MoO(3) film spin-coated from a solution prepared by an extremely facile and cost-effective synthetic method is introduced as an anode buffer layer of bulk-heterojunction polymer photovoltaic devices. The device efficiency using the MoO(3) anode buffer layer is comparable to
Design of transparent anodes for resonant cavity enhanced light harvesting in organic solar cells.
Nicholas P Sergeant et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 24(6), 728-732 (2012-01-04)
Claudio Girotto et al.
ACS applied materials & interfaces, 3(9), 3244-3247 (2011-08-13)
We report on a sol-gel-based technique to fabricate MoO(3) thin films as a hole-injection layer for solution-processed or thermally evaporated organic solar cells. The solution-processed MoO(3) (sMoO(3)) films are demonstrated to have equal performance to hole-injection layers composed of either
Yu-Zhan Wang et al.
The Journal of chemical physics, 134(3), 034706-034706 (2011-01-26)
The electronic structures at the MoO(3)∕Co interface were investigated using synchrotron-based ultraviolet and x-ray photoelectron spectroscopy. It was found that interfacial chemical reactions lead to the reduction of Mo oxidation states and the formation of Co-O bonds. These interfacial chemical
Wyświetl wszystkie powiązane dokumenty

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej