Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(1)

Kluczowe dokumenty

Wyświetl całą dokumentację

663905

Sigma-Aldrich

N,N′-Diphenyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide

98%

Synonim(y):

PTCDI-Ph

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(1)

About This Item

Wzór empiryczny (zapis Hilla):
C36H18N2O4
Numer CAS:
128-65-4
Masa cząsteczkowa:
542.54
Numer WE:
204-902-7
Numer MDL:
MFCD00151605
Kod UNSPSC:
12352103
Identyfikator substancji w PubChem:
24884667
NACRES:
NA.23

Próba

98%

Formularz

solid

mp

>300 °C

λmaks.

527 nm

fluorescencja

λem ≤534 nm in chloroform

właściwości półprzewodników

N-type (mobility=10−5 cm2/V·s)

ciąg SMILES

O=C1N(c2ccccc2)C(=O)c3ccc4c5ccc6C(=O)N(c7ccccc7)C(=O)c8ccc(c9ccc1c3c49)c5c68

InChI

1S/C36H18N2O4/c39-33-25-15-11-21-23-13-17-27-32-28(36(42)38(35(27)41)20-9-5-2-6-10-20)18-14-24(30(23)32)22-12-16-26(31(25)29(21)22)34(40)37(33)19-7-3-1-4-8-19/h1-18H

Klucz InChI

OGEZSLXPCKHGKO-UHFFFAOYSA-N

Opis ogólny

N,N′-Diphenyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide (PTCDI-Ph) is an asphaltene based conducting polymer that has an archipelago model. It is a perylene diimide derivative that has a high electron affinity and shows good chemical stability. It can be used as an active layer in the development of organic electronic devices.[1][2]

Zastosowanie

PTCDI-Ph is a conjugating polymer that forms an ultrathin film that can be used in the fabrication of organic field effect transistors (OFETs) for nitrogen dioxide sensor based applications.[3][4][5]
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Piktogramy

Exclamation mark
GHS07

Hasło ostrzegawcze

Warning

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

H315,H319,H335

Zwroty wskazujące środki ostrożności

P261 - P264 - P271 - P280 - P302 + P352 - P305 + P351 + P338

Klasyfikacja zagrożeń

Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

Organy docelowe

Respiratory system

Kod klasy składowania

11 - Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number
04103PD

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Wyszukaj dokument COA

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

High performance nitrogen dioxide sensor based on organic field-effect transistor utilizing ultrathin CuPc/PTCDI-C8 heterojunction.
Fan H, et al.
Synthetic Metals, 211(9), 161-166 (2016)
The influence of CO2 on the structure of confined asphaltenes in calcite nanopores.
Mohammed S and Gadikota G
Fuel: The Science and Technology of Fuel and Energy, 236, 769-777 (2019)
Response enhancement mechanism of NO2 gas sensing in ultrathin pentacene field-effect transistors.
Mirza M, et al.
Organic Electronics, 24(9), 96-100 (2015)
Electronic structure of the conduction band of the interface region of ultrathin films of substituted perylenedicarboximides and the germanium oxide surface.
Komolov AS, et al.
Physics of the Solid State, 58(9), 1901-1905 (2016)
Heteroepitaxy growth high performance films of perylene diimide derivatives.
Huang L, et al.
Organic Electronics, 11(2), 195-201 (2010)

Produkty

Organic Materials for Thin Film Transistors

Flexible electronic circuits, displays, and sensors based on organic active materials will enable future generations of electronics products that may eventually enter the mainstream electronics market.

Self-Assembled Nanodielectrics (SANDs) for Unconventional Electronics

Review the potential of self-assembled multilayer gate dielectric films fabricated from silane precursors for organic, inorganic, and transparent TFT and for TFT circuitry and OLED displays.

Polymer Semiconductors for Intrinsically Stretchable Organic Transistors

Intrinsically stretchable active layers for organic field-effect transistors (OFET) are discussed. Polymer structural modification & post-polymerization modifications are 2 methods to achieve this.

Soluble Pentacene Precursors

Fabrication procedure of organic field effect transistor device using a soluble pentacene precursor.

Zobacz wszystko

Questions

Reviews

No rating value

Active Filters

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej