Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(3)

Dokumenty

203432

Sigma-Aldrich

Indium

powder, −60 mesh, 99.999% trace metals basis

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(3)

About This Item

Wzór empiryczny (zapis Hilla):
In
Numer CAS:
7440-74-6
Masa cząsteczkowa:
114.82
Numer WE:
231-180-0
Numer MDL:
MFCD00134048
Kod UNSPSC:
12141719
Identyfikator substancji w PubChem:
24852171
NACRES:
NA.23

ciśnienie pary

<0.01 mmHg ( 25 °C)

Próba

99.999% trace metals basis

Postać

powder

rezystywność

8.37 μΩ-cm

wielkość cząstki

−60 mesh

mp

156.6 °C (lit.)

gęstość

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

ciąg SMILES

[In]

InChI

1S/In

Klucz InChI

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Piktogramy

FlameExclamation mark
GHS02,GHS07

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

H228,H315,H319,H332,H335

Klasyfikacja zagrożeń

Acute Tox. 4 Inhalation - Eye Irrit. 2 - Flam. Sol. 1 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

Organy docelowe

Respiratory system

Kod klasy składowania

4.1B - Flammable solid hazardous materials

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

Certyfikaty analizy (CoA)

Poszukaj Certyfikaty analizy (CoA), wpisując numer partii/serii produktów. Numery serii i partii można znaleźć na etykiecie produktu po słowach „seria” lub „partia”.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Klienci oglądali również te produkty

Slide 1 of 3

1 of 3

Indium(III) oxide 99.998% trace metals basis

Sigma-Aldrich

203424

Indium(III) oxide

Manganese powder, &#8805;99.9% trace metals basis

Sigma-Aldrich

463728

Manganese

Zinc powder, &lt;150&#160;&#956;m, 99.995% trace metals basis

Sigma-Aldrich

324930

Zinc

Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed
Yuji Zhao et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A53-A59 (2013-02-15)
Linear polarized electroluminescence was investigated for semipolar (3031) and (3031) InGaN light-emitting diodes (LEDs) with various indium compositions. A high degree of optical polarization was observed for devices on both planes, ranging from 0.37 at 438 nm to 0.79 at
Hwa Sub Oh et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 564-567 (2013-05-08)
We investigate Ga0.33In0.67P quantum dot structures appropriate for special lighting applications in terms of structural and optical behaviors. The Ga0.33In0.67P materials form from 2-dimentional to 3-dimensional dots as the nominal growth thickness increases from 0.5 nm to 6.0 nm, indicating
G W Shu et al.
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 15(10), 3618-3622 (2013-02-06)
Nonradiative energy transfer from an InGaN quantum well to Ag nanoparticles is unambiguously demonstrated by the time-resolved photoluminescence. The distance dependence of the energy transfer rate is found to be proportional to 1/d(3), in good agreement with the prediction of
Zi-Hui Zhang et al.
Optics express, 21(4), 4958-4969 (2013-03-14)
This work reports both experimental and theoretical studies on the InGaN/GaN light-emitting diodes (LEDs) with optical output power and external quantum efficiency (EQE) levels substantially enhanced by incorporating p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN (PNPNP-GaN) current spreading layers in p-GaN. Each thin n-GaN layer sandwiched
Wyświetl wszystkie powiązane dokumenty

Produkty

Discovery and Single Crystal Growth of Lanthanide Intermetallics—Interplay of Synthesis and Physical Properties

Solid state and materials chemistry have made a tremendous impact and have experienced growth in recent years, particularly for rare earthcontaining materials.

Odkrycie i wzrost pojedynczych kryształów międzymetalicznych lantanowców - wzajemne oddziaływanie syntezy i właściwości fizycznych

Chemia ciała stałego i materiałów wywarła ogromny wpływ i odnotowała wzrost w ostatnich latach, szczególnie w przypadku materiałów zawierających pierwiastki ziem rzadkich.

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej