Kémiai gőzfázisú leválasztás
A kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) egy olyan módszer, amely szilárd anyagok filmjeinek epitaxiális leválasztására szolgál egy szubsztrát felületén egy szabályozott kémiai reakció gőzfázisa során. A CVD-t, más néven vékonyréteg-leválasztást túlnyomórészt elektronikai, optoelektronikai, katalitikus és energetikai alkalmazásokban alkalmazzák, például félvezetők, szilíciumszelet-előkészítés és nyomtatható napelemek esetében.
A CVD technika sokoldalú és gyors módszer a filmnövekedés támogatására, lehetővé teszi az egyenletes vastagságú és szabályozott porozitású tiszta bevonatok létrehozását, még bonyolult vagy kontúros felületeken is. Ezenkívül nagy felületű és szelektív CVD lehetséges mintázott szubsztrátokon is. A CVD skálázható, szabályozható és költséghatékony növekedési módszert biztosít kétdimenziós (2D) anyagok vagy vékonyrétegek, például fémek (pl. szilícium, volfrám), szén (pl. grafén, gyémánt), arzenidek, karbidok, nitridek, oxidok és átmeneti fémdikalcogenidek (TMDC) alulról felfelé történő szintéziséhez. A jól rendezett vékonyrétegek szintéziséhez nagy tisztaságú fém prekurzorok (fémorganikusok, halogenidek, alkilek, alkooxidok és ketonátok) szükségesek.
Kapcsolódó műszaki cikkek
- atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer
- Copper deposition processes are crucial for microelectronic interconnects in ALD development.
- Highly reducing or oxidizing species enhance organic semiconductor conductivity by reducing charge-carrier injection barriers.
- Catalytic water splitting produces hydrogen crucial for renewable energy, petroleum refining, and chemical industry applications like methanol production.
- Atomic layer deposition (ALD) showcases innovation in novel structure synthesis, area-selective deposition, low-temperature deposition, and more.
- Mindent látni (12)
További cikkek keresése
A rétegek összetétele és morfológiája a választott prekurzorok és a szubsztrát, a hőmérséklet, a kamrai nyomás, a vivőgáz áramlási sebessége, a kiindulási anyagok mennyisége és aránya, valamint a forrás és a szubsztrát közötti távolság függvényében változik a CVD-eljárásban. Az atomos rétegleválasztás (ALD), a CVD egyik alosztálya, az előanyagok szubsztráton történő egymást követő, önkorlátozó reakciói révén tovább szabályozhatja a vékonyrétegek leválasztását.
Az olvasás folytatásához jelentkezzen be vagy hozzon létre egy felhasználói fiókot.
Még nem rendelkezik fiókkal?