Przejdź do zawartości
Merck

480991

Sigma-Aldrich

Zinc acetylacetonate hydrate

99.995% trace metals basis

Synonim(y):

Bis(2,4-pentanedionato)zinc, Zn(acac)2

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych

Wybierz wielkość

5 G
364,00 zł
25 G
1260,00 zł

364,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

Wybierz wielkość

Zmień widok
5 G
364,00 zł
25 G
1260,00 zł

About This Item

Wzór liniowy:
Zn(C5H7O2)2 · xH2O
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
263.61 (anhydrous basis)
Beilstein:
4166200
Numer WE:
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12352103
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

364,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

Próba

99.995% trace metals basis

Formularz

solid

przydatność reakcji

reagent type: catalyst

mp

135-138 °C (lit.)

ciąg SMILES

[H]O[H].CC(=O)\C=C(\C)O[Zn]O\C(C)=C/C(C)=O

InChI

1S/2C5H8O2.H2O.Zn/c2*1-4(6)3-5(2)7;;/h2*3,6H,1-2H3;1H2;/q;;;+2/p-2/b2*4-3-;;

Klucz InChI

KUJHAYOLESEVSA-SUKNRPLKSA-L

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Zastosowanie

  • Atmospheric dielectric barrier discharge plasma synthesis of nanoporous zinc oxide films: This study utilized zinc acetylacetonate hydrate as a precursor for synthesizing nanoporous zinc oxide films, which are important in various applications, including sensors and catalysis (QR Liu et al.).
  • High-Performance Solution-Processed Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors: Zinc acetylacetonate hydrate was used in the solution process of fabricating thin-film transistors, demonstrating its utility in electronic device fabrication (Y Xie, D Wang, HH Fong, 2018).
  • Developing conductive highly ordered zinc oxide nanorods: The chemical served as a precursor in the hydrothermal growth of zinc oxide nanorods, which are crucial for various nanotechnology applications (SS A Karim et al., 2020).
  • Beta-cyclodextrin-zinc acetylacetonate inclusion complex formation: This research explored the formation of a complex for sustainable nano-carrier applications in corrosion inhibition, highlighting the compound′s versatility in smart material applications (A Dehghani et al., 2020).
  • Nano/microstructure and optical properties of ZnO particles: Focused on the precipitation of zinc oxide particles from zinc acetylacetonate hydrate, which is significant for developing materials with specific optical properties (Ž Petrović et al., 2015).

Cechy i korzyści

Novel MOCVD precursor for the preparation of high-crystallinity (Zn,Fe)Fe2O4 films and magnetic property measurements of these films.
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Piktogramy

Exclamation markEnvironment

Hasło ostrzegawcze

Warning

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

Zwroty wskazujące środki ostrożności

Klasyfikacja zagrożeń

Aquatic Acute 1 - Aquatic Chronic 1 - Eye Irrit. 2 - Skin Sens. 1

Kod klasy składowania

13 - Non Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 1

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Produkty

Kilka monowarstw osadzania warstw atomowych (ALD) na powierzchniach i interfejsach do zastosowań energetycznych

Few Monolayer Atomic Layer Deposition (ALD) on Surfaces and Interfaces for Energy Applications

Questions

Reviews

No rating value

Active Filters

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej