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Merck

490628

Sigma-Aldrich

窒化インジウム(III)

99.9% trace metals basis

別名:

Indium mononitride, Indium nitride

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About This Item

化学式:
InN
CAS番号:
分子量:
128.82
EC Number:
MDL番号:
UNSPSCコード:
12352300
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

アッセイ

99.9% trace metals basis

フォーム

powder

反応適合性

reagent type: catalyst
core: indium

粒径

100 mesh

SMILES記法

N#[In]

InChI

1S/In.N

InChI Key

NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N

保管分類コード

13 - Non Combustible Solids

WGK

WGK 3

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

PRTR

第一種指定化学物質

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

490628-VAR:
490628-BULK:
490628-1G:4548173316369
490628-5G:4548173316376


最新バージョンのいずれかを選択してください:

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資料

Conducting polymers such as polyaniline, polythiophene and polyfluorenes are now much in the spotlight for their applications in organic electronics and optoelectronics.

電子線リソグラフィや集束イオンビームによるパターニングにPEDOT:PSSを用いた事例をご紹介します。

質問

1–4/4 質問  
  1. What is the Department of Transportation shipping information for this product?

    1 回答
    1. Transportation information can be found in Section 14 of the product's (M)SDS.To access the shipping information for this material, use the link on the product detail page for the product.

      役に立ちましたか?

  2. Is Indium(III) nitride (InN), Product 490628, stable?

    1 回答
    1. Indium nitride is expected to be stable at room temperature, with no other special storage considerations. But, according to the MSDS, it is not compatible with acids and strong oxidants.

      役に立ちましたか?

  3. What special property does Indium(III) nitride (InN), Product 490628, have?

    1 回答
    1. It is an inorganic semiconductor.

      役に立ちましたか?

  4. What is the band gap of Indium(III) nitride (InN), Product 490628?

    1 回答
    1. Although Sigma-Aldrich has not performed quality control testing for this property, literature suggests that the band gap for InN is expected to be between 0.7 and 0.65 eV, depending on the temperature.

      役に立ちましたか?

レビュー

評価値なし

アクティブなフィルタ

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