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Merck

393541

Sigma-Aldrich

ガリウム(III)アセチルアセトナート

99.99% trace metals basis

別名:

Ga(acac)3, ガリウム(III) 2,4-ペンタンジオナート

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About This Item

化学式:
[CH3COCH=C(O-)CH3]3Ga
CAS番号:
分子量:
367.05
EC Number:
MDL番号:
UNSPSCコード:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

アッセイ

99.99% trace metals basis

形状

solid

反応適合性

core: gallium
reagent type: catalyst

mp

196-198 °C (dec.) (lit.)

SMILES記法

CC(=O)\C=C(\C)O[Ga](O\C(C)=C/C(C)=O)O\C(C)=C/C(C)=O

InChI

1S/3C5H8O2.Ga/c3*1-4(6)3-5(2)7;/h3*3,6H,1-2H3;/q;;;+3/p-3/b3*4-3-;

InChI Key

ZVYYAYJIGYODSD-LNTINUHCSA-K

詳細

Gallium(III) acetylacetonate is a sol-gel precursor used to synthesize high-purity GaN nano-wires, nano-needles, and gallium oxide thin films, which are relevant to applications in batteries, fuel cells, and solar cells.

アプリケーション

Gallium(III) acetylacetonate can be used:
  • As a precursor to synthesize nanocrystalline gallium oxide spinels via solvothermal process for various applications like photocatalysis, battery cathode materials and electrocatalysis.
  • To fabricate LiGa alloy layer on Li metal anode from in-situ electroreduction. It suppresses the anode dendrite formation in lithium-sulfur batteries.
  • To prepare highly efficient gallium-platinum (GaPt3) nanoparticles hot-solvent synthesis which act as electrocatalysts for hydrogen evolution reaction.
  • To synthesize γ-Ga2O3 nanocrystals for fabricating electron-transporting layer for perovskite solar cells. It forms effective interfacial connections with the perovskite top layer, enhancing the efficiency of charge transport.

ピクトグラム

Health hazardExclamation mark

シグナルワード

Warning

危険有害性の分類

Acute Tox. 4 Dermal - Acute Tox. 4 Inhalation - Acute Tox. 4 Oral - Carc. 2 - Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

ターゲットの組織

Respiratory system

保管分類コード

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

Jan Code

393541-25G:
393541-5G:
393541-VAR:
393541-BULK:


試験成績書(COA)

製品のロット番号・バッチ番号を入力して、試験成績書(COA) を検索できます。ロット番号・バッチ番号は、製品ラベルに「Lot」または「Batch」に続いて記載されています。

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Temperature-controlled catalytic growth of one-dimensional gallium nitride nanostructures using a gallium organometallic precursor
Chang KW,Wu JJ
Applied Physics. A, Materials Science & Processing, 77(6), 769-774 null
Structural Crystallography and Crystal Chemistry
Dymock K and Palenik GJ
Acta Crystallographica Section B, Structural Crystallography and Crystal Chemistry, 30(5), 1364-1366 (1974)
LowTemperature Catalytic Synthesis of Gallium Nitride Nanowires
The Journal of Physical Chemistry B, 106(32), 7796-7799 (2002)
Growth of gallium oxide film from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy.
Nieminen M,et al
Journal of Materials Chemistry, 6, 27-31 null
Matthias Metzger et al.
Analytical and bioanalytical chemistry, 411(19), 4647-4660 (2019-03-09)
The introduction of fluorine into organic molecules leads to new chemical/physical properties. Especially in the field of pharmaceutical as well as technical applications, fluorinated organic substances gain in importance. The OECD identified and categorized 4730 per- and polyfluoroalkyl substances-related CAS

資料

ALD(原子層堆積法)を色素増感およびペロブスカイト太陽電池の作製に用いた事例をご紹介しています。

Continuous efficiency improvements in photovoltaic devices result from material advancements and manufacturing innovation.

Nanomaterials are considered a route to the innovations required for large-scale implementation of renewable energy technologies in society to make our life sustainable.

ALD技術による薄膜およびナノ粒子の作製法および、それらナノ材料のリチウムイオン電池、燃料電池および太陽電池への応用について概説します。

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

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