Direkt zum Inhalt
Merck
Alle Fotos(1)

Wichtige Dokumente

Gesamtdokumentation anzeigen

30101

Sigma-Aldrich

Ammoniumfluorid

puriss. p.a., ACS reagent, ≥98%

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise
Alle Fotos(1)

About This Item

Lineare Formel:
NH4F
CAS-Nummer:
12125-01-8
Molekulargewicht:
37.04
EG-Nummer:
235-185-9
MDL-Nummer:
MFCD00011423
UNSPSC-Code:
12352302
eCl@ss:
38050106
PubChem Substanz-ID:
329753432

Qualität

ACS reagent
puriss. p.a.

Assay

≥98%

Form

solid

Verunreinigungen

≤0.1% hexafluorosilicate (as SiF6)
≤1% ammonium hydrogen difluoride (NH4HF2)

Glührückstand

≤0.005% (as SO4)

Anionenspuren

chloride (Cl-): ≤5 mg/kg
sulfate (SO42-): ≤50 mg/kg

Kationenspuren

Cd: ≤5 mg/kg
Cu: ≤5 mg/kg
Fe: ≤5 mg/kg
K: ≤20 mg/kg
Na: ≤20 mg/kg
Pb: ≤5 mg/kg
Zn: ≤5 mg/kg

SMILES String

N.F

InChI

1S/FH.H3N/h1H;1H3

InChIKey

LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N

Suchen Sie nach ähnlichen Produkten? Aufrufen Leitfaden zum Produktvergleich

Piktogramme

Skull and crossbones
GHS06

Signalwort

Danger

Gefahreneinstufungen

Acute Tox. 3 Dermal - Acute Tox. 3 Inhalation - Acute Tox. 3 Oral

Lagerklassenschlüssel

6.1D - Non-combustible acute toxic Cat.3 / toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects

WGK

WGK 1

Flammpunkt (°F)

does not flash

Flammpunkt (°C)

does not flash

Analysenzertifikate (COA)

Suchen Sie nach Analysenzertifikate (COA), indem Sie die Lot-/Chargennummer des Produkts eingeben. Lot- und Chargennummern sind auf dem Produktetikett hinter den Wörtern ‘Lot’ oder ‘Batch’ (Lot oder Charge) zu finden.

Besitzen Sie dieses Produkt bereits?

In der Dokumentenbibliothek finden Sie die Dokumentation zu den Produkten, die Sie kürzlich erworben haben.

Die Dokumentenbibliothek aufrufen

Etching processing of Si (111) and Si (100) surfaces in an ammonium fluoride solution investigated by in situ ATR-IR.
Nakamura M, et al.
Electrochimica Acta, 41(5), 681-686 (1996)
On the Etching of Silicon by Oxidants in Ammonium Fluoride Solutions A Mechanistic Study.
Gerischer H and Lubke M.
Journal of the Electrochemical Society, 135(11), 2782-2786 (1988)
Surface analysis of the electropolishing layer on Si (111) in ammonium fluoride solution.
Lewerenz HJ, et al.
Electrochimica Acta, 45(28), 4615-4627 (2000)
Jae Hoon Bong et al.
Nanoscale, 6(15), 8503-8508 (2014-06-21)
We report a post-synthetic n-doping method for chemical-vapor-deposition (CVD) grown graphene using wet chemical processing. An ammonium fluoride solution was found effective in converting pristine hole doping into electron doping in addition to the mobility improvement of charge carriers. We
Yuexiang Li et al.
Journal of hazardous materials, 182(1-3), 90-96 (2010-06-29)
A nitrogen-doped TiO(2) (N-TiO(2)) photocatalyst was prepared by calcination of the hydrolysis precipitate of Ti(SO(4))(2) with aqueous ammonia. The prepared N-TiO(2) was treated with NH(4)F (F-N-TiO(2)) by an impregnation-calcination method. The photocatalyst (F-N-TiO(2)) was characterized by X-ray diffraction (XRD), Fourier
Alle zugehörigen Dokumente anzeigen

Unser Team von Wissenschaftlern verfügt über Erfahrung in allen Forschungsbereichen einschließlich Life Science, Materialwissenschaften, chemischer Synthese, Chromatographie, Analytik und vielen mehr..

Setzen Sie sich mit dem technischen Dienst in Verbindung.