Pular para o conteúdo
Merck
Todas as fotos(3)

Documentos

378097

Sigma-Aldrich

Silicon carbide

-200 mesh particle size

Faça loginpara ver os preços organizacionais e de contrato


About This Item

Fórmula linear:
SiC
Número CAS:
Peso molecular:
40.10
Número CE:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352300
ID de substância PubChem:
NACRES:
NA.23

forma

powder

tamanho de partícula

-200 mesh

pf

2700 °C (lit.)

densidade

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

cadeia de caracteres SMILES

[C-]#[Si+]

InChI

1S/CSi/c1-2

chave InChI

HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N

Procurando produtos similares? Visita Guia de comparação de produtos

Descrição geral

Silicon carbide (SiC) is a semiconductor based material that consists of a closed packed stacking of double layers of silicon and carbon. It has an excellent thermo-mechanical property that makes it useful in a variety of electronic and optoelectronic applications.

Aplicação

SiC is majorly used as a base material for applications such as micro-structures, opto-electronic devices(OLEDs), UV detectors, high temperature electronics (nuclear electronics), high frequency devices

Código de classe de armazenamento

11 - Combustible Solids

Classe de risco de água (WGK)

nwg

Ponto de fulgor (°F)

Not applicable

Ponto de fulgor (°C)

Not applicable

Equipamento de proteção individual

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Certificados de análise (COA)

Busque Certificados de análise (COA) digitando o Número do Lote do produto. Os números de lote e remessa podem ser encontrados no rótulo de um produto após a palavra “Lot” ou “Batch”.

Já possui este produto?

Encontre a documentação dos produtos que você adquiriu recentemente na biblioteca de documentos.

Visite a Biblioteca de Documentos

Os clientes também visualizaram

Slide 1 of 2

1 of 2

Properties of silicon carbide (1995)
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications (2014)
High efficiency GaN-based LEDs and lasers on SiC
Edmond J, et al.
Journal of Crystal Growth, 272(1-4), 242-250 (2004)
Development of SiC-Si composites with fine-grained SiC microstructures
Wilhelm M, et al.
J. Eur. Ceram. Soc., 19(12), 2155-2163 (1999)
Optical polarization of nuclear spins in silicon carbide
Falk AL, et al.
Physical Review Letters, 114(24), 247603-247603 (2015)

Artigos

Three approaches generate white light, including LED-based down-conversion for broader applications.

Nossa equipe de cientistas tem experiência em todas as áreas de pesquisa, incluindo Life Sciences, ciência de materiais, síntese química, cromatografia, química analítica e muitas outras.

Entre em contato com a assistência técnica