Przejdź do zawartości
Merck

651486

Sigma-Aldrich

Gallium arsenide

(single crystal substrate), <100>, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

Synonim(y):

Monoarsenek galu

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych

Wybierz wielkość

1 EA
3460,00 zł

3460,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

Wybierz wielkość

Zmień widok
1 EA
3460,00 zł

About This Item

Wzór liniowy:
GaAs
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
144.64
Numer WE:
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12352300
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

3460,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

Poziom jakości

Formularz

(single crystal substrate)

rezystywność

≥1E7 Ω-cm

śr. × grubość

2 in. × 0.5 mm

gęstość

5.31 g/mL at 25 °C (lit.)

właściwości półprzewodników

<100>

ciąg SMILES

[Ga]#[As]

InChI

1S/As.Ga

Klucz InChI

JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Właściwości fizyczne

Mobility >=4500 cm2 · V-1 · S-1
Undoped (Si-type semiconductor), EPD < 5 × 104 cm-2, growth technique = LEC & HB

Postać fizyczna

cubic (a = 5.6533 Å)
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Piktogramy

Health hazard

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

Zwroty wskazujące środki ostrożności

Klasyfikacja zagrożeń

Carc. 1B - Repr. 1B - STOT RE 1

Organy docelowe

Respiratory system,hematopoietic system

Kod klasy składowania

6.1A - Combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable


Wykazy regulacyjne

Wykazy regulacyjne dotyczą głównie produktów chemicznych. Można w nich podawać ograniczoną liczbę informacji na temat produktów niechemicznych. Brak wpisu oznacza, że żaden ze składników nie znajduje się w wykazie. Użytkownik odpowiada za zagwarantowanie bezpiecznego i zgodnego z prawem stosowania produktu.

EU REACH Annex XVII (Restriction List)

CAS No.

Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Kazuue Fujita et al.
Optics express, 20(18), 20647-20658 (2012-10-06)
Device-performances of 3.7 THz indirect-pumping quantum-cascade lasers are demonstrated in an InGaAs/InAlAs material system grown by metal-organic vapor-phase epitaxy. The lasers show a low threshold-current-density of ~420 A/cm2 and a peak output power of ~8 mW at 7 K, no
I I Yakimenko et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 25(7), 072201-072201 (2013-01-19)
We analyze the occurrence of local magnetization and the effects of electron localization in different models of quantum point contacts (QPCs) using spin-relaxed density functional theory (DFT/LSDA) by means of numerical simulations. In the case of soft confinement potentials the
M Baranowski et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 25(6), 065801-065801 (2013-01-12)
In this study we apply time resolved photoluminescence and contactless electroreflectance to study the carrier collection efficiency of a GaInNAsSb/GaAs quantum well (QW). We show that the enhancement of photoluminescence from GaInNAsSb quantum wells annealed at different temperatures originates not
Anand Kumar Tatikonda et al.
Biosensors & bioelectronics, 45, 201-205 (2013-03-19)
Microelectronic-based sensors are ideal for real-time continuous monitoring of health states due to their low cost of production, small size, portability, and ease of integration into electronic systems. However, typically semiconductor-based devices cannot be operated in aqueous solutions, especially in
V V Solovyev et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 25(2), 025801-025801 (2012-11-28)
Temperature-dependent reflectivity and photoluminescence spectra are studied for undoped ultra-wide 150 and 250 nm GaAs quantum wells. It is shown that spectral features previously attributed to a size quantization of the exciton motion in the z-direction coincide well with energies

Produkty

Spintronics offer breakthroughs over conventional memory/logic devices with lower power, leakage, saturation, and complexity.

Protokoły

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

Questions

Reviews

No rating value

Active Filters

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej