Przejdź do zawartości
Merck

329010

Sigma-Aldrich

Gallium arsenide

pieces, 99.999% trace metals basis

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych


About This Item

Wzór liniowy:
GaAs
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
144.64
Numer WE:
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12352300
Identyfikator substancji w PubChem:
Informacje o cenach i dostępności nie są obecnie dostępne.

Próba

99.999% trace metals basis

Formularz

pieces

gęstość

5.31 g/mL at 25 °C (lit.)

ciąg SMILES

[Ga]#[As]

InChI

1S/As.Ga

Klucz InChI

JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Piktogramy

Health hazard

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

Zwroty wskazujące środki ostrożności

Klasyfikacja zagrożeń

Carc. 1B - Repr. 1B - STOT RE 1

Organy docelowe

Respiratory system,hematopoietic system

Kod klasy składowania

6.1A - Combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable


Wykazy regulacyjne

Wykazy regulacyjne dotyczą głównie produktów chemicznych. Można w nich podawać ograniczoną liczbę informacji na temat produktów niechemicznych. Brak wpisu oznacza, że żaden ze składników nie znajduje się w wykazie. Użytkownik odpowiada za zagwarantowanie bezpiecznego i zgodnego z prawem stosowania produktu.

EU REACH Annex XVII (Restriction List)

CAS No.

Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Chao-Wei Hsu et al.
Nanotechnology, 23(49), 495306-495306 (2012-11-17)
GaAs is grown by metal-organic vapor-phase epitaxy on a 55 nm round-hole patterned Si substrate with SiO(2) as a mask. The threading dislocations, which are stacked on the lowest energy facet plane, move along the SiO(2) walls, reducing the number
Shih-Wei Tan et al.
PloS one, 7(11), e50681-e50681 (2012-12-12)
Characterization and modeling of metal-semiconductor-metal (MSM) GaAs diodes using to evaporate SiO₂ and Pd simultaneously as a mixture electrode (called M-MSM diodes) compared with similar to evaporate Pd as the electrode (called Pd-MSM diodes) were reported. The barrier height (φ(b))
M Baranowski et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 25(6), 065801-065801 (2013-01-12)
In this study we apply time resolved photoluminescence and contactless electroreflectance to study the carrier collection efficiency of a GaInNAsSb/GaAs quantum well (QW). We show that the enhancement of photoluminescence from GaInNAsSb quantum wells annealed at different temperatures originates not
Kazuue Fujita et al.
Optics express, 20(18), 20647-20658 (2012-10-06)
Device-performances of 3.7 THz indirect-pumping quantum-cascade lasers are demonstrated in an InGaAs/InAlAs material system grown by metal-organic vapor-phase epitaxy. The lasers show a low threshold-current-density of ~420 A/cm2 and a peak output power of ~8 mW at 7 K, no
I I Yakimenko et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 25(7), 072201-072201 (2013-01-19)
We analyze the occurrence of local magnetization and the effects of electron localization in different models of quantum point contacts (QPCs) using spin-relaxed density functional theory (DFT/LSDA) by means of numerical simulations. In the case of soft confinement potentials the

Questions

Reviews

No rating value

Active Filters

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej