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Merck

357065

Sigma-Aldrich

インジウム

wire, diam. 2.0 mm, 99.995% trace metals basis

別名:

Indium element

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4.5 G
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About This Item

実験式(ヒル表記法):
In
CAS番号:
分子量:
114.82
EC Number:
MDL番号:
UNSPSCコード:
12141719
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

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蒸気圧

<0.01 mmHg ( 25 °C)

品質水準

アッセイ

99.995% trace metals basis

フォーム

wire

抵抗性

8.37 μΩ-cm

直径

2.0 mm

mp

156.6 °C (lit.)

密度

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES記法

[In]

InChI

1S/In

InChI Key

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

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数量

4.5 g = 20 cm; 22.5 g = 100 cm

以下による置換

ピクトグラム

Health hazard

シグナルワード

Danger

危険有害性情報

危険有害性の分類

STOT RE 1 Inhalation

ターゲットの組織

Lungs

保管分類コード

6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects

WGK

WGK 1

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

PRTR

第一種指定化学物質

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

357065-4.5G:
357065-22.5G:
357065-BULK:
357065-VAR:


最新バージョンのいずれかを選択してください:

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Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed
Yuji Zhao et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A53-A59 (2013-02-15)
Linear polarized electroluminescence was investigated for semipolar (3031) and (3031) InGaN light-emitting diodes (LEDs) with various indium compositions. A high degree of optical polarization was observed for devices on both planes, ranging from 0.37 at 438 nm to 0.79 at
Hwa Sub Oh et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 564-567 (2013-05-08)
We investigate Ga0.33In0.67P quantum dot structures appropriate for special lighting applications in terms of structural and optical behaviors. The Ga0.33In0.67P materials form from 2-dimentional to 3-dimensional dots as the nominal growth thickness increases from 0.5 nm to 6.0 nm, indicating
Juan Zhou et al.
Chemical communications (Cambridge, England), 49(22), 2237-2239 (2013-02-12)
A reduced graphene oxide (RGO)-ZnIn(2)S(4) nanosheet composite was successfully synthesized via an in situ controlled growth process. The as-obtained RGO-ZnIn(2)S(4) composite showed excellent visible light H(2) production activity in the absence of noble metal cocatalysts.
Ching-Hwa Ho et al.
ACS applied materials & interfaces, 5(6), 2269-2277 (2013-03-05)
The surface formation oxide assists of visible to ultraviolet photoelectric conversion in α-In2Se3 hexagonal microplates has been explored. Hexagonal α-In2Se3 microplates with the sizes of 10s to 100s of micrometers were synthesized and prepared by the chemical vapor transport method

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