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Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)zirconium(IV)

electronic grade, ≥99.99% trace metals basis

Sinonimo/i:

TDMAZ, Tetrakis(dimethylamino)zirconium(IV)

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About This Item

Formula condensata:
[(CH3)2N]4Zr
Numero CAS:
19756-04-8
Peso molecolare:
267.53
Numero MDL:
MFCD00239502
Codice UNSPSC:
12352103
ID PubChem:
24880977
NACRES:
NA.23

Grado

electronic grade

Livello qualitativo

100

Saggio

≥99.99% trace metals basis

Stato

solid

Impiego in reazioni chimiche

core: zirconium

Punto di fusione

57-60 °C (lit.)

Temperatura di conservazione

2-8°C

Stringa SMILE

CN(C)[Zr](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Zr/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4
DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N

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Applicazioni

Tetrakis(dimethylamido) zirconium (IV) may be used as a precursor for atomic layer deposition of zirconium which find applications ranging from gas sensors to high-k dielectrics in microelectronics.

Pittogrammi

FlameExclamation mark
GHS02,GHS07

Avvertenze

Danger

Indicazioni di pericolo

H228,H261,H315,H319,H335

Classi di pericolo

Eye Irrit. 2 - Flam. Sol. 1 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3 - Water-react 2

Organi bersaglio

Respiratory system

Rischi supp

EUH014

Codice della classe di stoccaggio

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

WGK 3

Punto d’infiammabilità (°F)

No data available

Punto d’infiammabilità (°C)

No data available

Dispositivi di protezione individuale

Eyeshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

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Lot/Batch Number
SHBM7138
SHBL7399
SHBL7405
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Atomic layer deposition of ZrO2 and HfO2 nanotubes by template replication
Gu D, et al.
Electrochemical and Solid-State Letters, 12.4, K25-K28 (2009)
Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films.
Hausmann DM & Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249.1, 251-261 (2003)

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