Přejít k obsahu
Merck
Všechny fotografie(4)

Key Documents

553468

Sigma-Aldrich

Tris(tert-butoxy)silanol

99.999%

Synonyma:

TBS

Přihlásitk zobrazení cen stanovených pro organizaci a smluvních cen


About This Item

Lineární vzorec:
((CH3)3CO)3SiOH
Číslo CAS:
Molekulová hmotnost:
264.43
MDL number:
UNSPSC Code:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

assay

99.999%

form

solid

bp

205-210 °C (lit.)

mp

63-65 °C (lit.)

SMILES string

CC(C)(C)O[Si](O)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C

InChI

1S/C12H28O4Si/c1-10(2,3)14-17(13,15-11(4,5)6)16-12(7,8)9/h13H,1-9H3

InChI key

HLDBBQREZCVBMA-UHFFFAOYSA-N

Hledáte podobné produkty? Navštivte Průvodce porovnáváním produktů

General description

Tris(tert-butoxy)silanol can react with various metal alkyl amides to act as precursors for vapor deposition metal silicates. It also acts as a suitable precursor for deposition of silica.

Application

Tris(tert-alkoxy)silanols reacts with tetrakis(dimethylamino)-hafnium vapor(Hf(N(CH3)2)4) for vapor phase deposition of hafnium silicate glass films. Tris(tert-butoxy)silanol is used for atomic layer deposition (ALD) of highly conformal layers of amorphous silicon dioxide and aluminum oxide nanolaminates.

Storage Class

11 - Combustible Solids

wgk_germany

WGK 3

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


Osvědčení o analýze (COA)

Vyhledejte osvědčení Osvědčení o analýze (COA) zadáním čísla šarže/dávky těchto produktů. Čísla šarže a dávky lze nalézt na štítku produktu za slovy „Lot“ nebo „Batch“.

Již tento produkt vlastníte?

Dokumenty související s produkty, které jste v minulosti zakoupili, byly za účelem usnadnění shromážděny ve vaší Knihovně dokumentů.

Navštívit knihovnu dokumentů

Zákazníci si také prohlíželi

Rapid SiO2 Atomic Layer Deposition Using Tris(tert-pentoxy)silanol.
Burton B, et al.
Chemistry of Materials, 20, 7031-7043 (2008)
Rapid vapor deposition of highly conformal silica nanolaminates.
Hausmann D, et al.
Science, 298(5592), 402-406 null
Vapor deposition of metal oxides and silicates: Possible gate insulators for future microelectronics.
Gordon G, et al.
Chemistry of Materials, 13(8), 2463-2464 (2001)
Jonathan Stewart et al.
Modern pathology : an official journal of the United States and Canadian Academy of Pathology, Inc, 28(3), 428-436 (2014-09-27)
The oncogenic role of WNT is well characterized. Wntless (WLS) (also known as GPR177, or Evi), a key modulator of WNT protein secretion, was recently found to be highly overexpressed in malignant astrocytomas. We hypothesized that this molecule may be
Pedro A Dionísio et al.
Neurobiology of aging, 36(1), 228-240 (2014-12-03)
Alzheimer's disease (AD) is a neurodegenerative disorder hallmarked by the accumulation of extracellular amyloid-β (Aβ) peptide and intraneuronal hyperphosphorylated tau, as well as chronic neuroinflammation. Tauroursodeoxycholic acid (TUDCA) is an endogenous anti-apoptotic bile acid with potent neuroprotective properties in several

Sortimentní položky

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

Spintronics offer breakthroughs over conventional memory/logic devices with lower power, leakage, saturation, and complexity.

Hybrid organic-inorganic sol-gel materials containing silica were first called “ORMOSILs” in 1984.

Náš tým vědeckých pracovníků má zkušenosti ve všech oblastech výzkumu, včetně přírodních věd, materiálových věd, chemické syntézy, chromatografie, analytiky a mnoha dalších..

Obraťte se na technický servis.