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Sigma-Aldrich

Silizium

wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

Synonym(e):

Silicon element

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise
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About This Item

Lineare Formel:
Si
CAS-Nummer:
7440-21-3
Molekulargewicht:
28.09
MDL-Nummer:
MFCD00085311
UNSPSC-Code:
12352300
PubChem Substanz-ID:
24883416
NACRES:
NA.23

Form

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

Enthält

boron as dopant

Durchm. × Dicke

2 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp (Schmelzpunkt)

1410 °C (lit.)

Dichte

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

Halbleitereigenschaften

<100>, P-type

SMILES String

[Si]

InChI

1S/Si

InChIKey

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

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Anwendung

<100> Silicon wafer may be used as a substrate for the epitaxial growth of SiC, and TiN thin films.

Verpackung

1EA refers to 1 wafer and 5EA refers to 5 wafers

Physikalische Eigenschaften

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-3 - 40 Ω•cm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″

Lagerklassenschlüssel

13 - Non Combustible Solids

WGK

nwg

Flammpunkt (°F)

Not applicable

Flammpunkt (°C)

Not applicable

Persönliche Schutzausrüstung

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Analysenzertifikate (COA)

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Journal of Applied Physics, 78(8), 193-198 (2014)
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Seungil Park et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3397-3402 (2013-07-19)
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