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Merck

333891

Sigma-Aldrich

Silan

≥99.998%, electronic grade

Synonym(e):

Siliziumtetrahydrid

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise


About This Item

Lineare Formel:
SiH4
CAS-Nummer:
Molekulargewicht:
32.12
EG-Nummer:
MDL-Nummer:
UNSPSC-Code:
12352300
PubChem Substanz-ID:

Qualität

electronic grade

Dampfdichte

1.1 (vs air)

Assay

≥99.998%

Form

gas

Widerstandsfähigkeit

>1000 Ω-cm

Verunreinigungen

<1 ppm Carbon dioxide (CO2)
<1 ppm Carbon monoxide (CO)
<1 ppm Chlorosilanes
<1 ppm THC
<1 ppm Trisilane (Si3H8)
<1 ppm Water (H2O)
<100 ppm Hydrogen (H2)
<2 ppm Nitrogen (N2)
<2 ppm Siloxanes
<5 ppm Disilane (Si2H6)

bp

−112 °C (lit.)

mp (Schmelzpunkt)

−185 °C (lit.)

Übergangstemp.

critical temperature −3.4 °C

Dichte

1.114 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES String

[SiH4]

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Anwendung

Silane is used in the deposition of amorphous silicon, epitaxial silicon and silicon based dielectrics. Polycrystalline films can be deposited on silicon wafers and glass substrates via remote plasma chemical vapor deposition (RPCVD) using a SiH4-SiF2-H2 gas mixture. Silane is used widely as a dopant in the formation of III-IV semiconductor materials.

Empfohlene Produkte

Stainless steel regulators Z527416 or Z527424 are recommended.

Piktogramme

FlameGas cylinder

Signalwort

Danger

H-Sätze

Gefahreneinstufungen

Flam. Gas 1A - Press. Gas Compr. Gas

Lagerklassenschlüssel

2A - Gases

WGK

WGK 1

Flammpunkt (°F)

Not applicable

Flammpunkt (°C)

Not applicable

Persönliche Schutzausrüstung

Eyeshields, Faceshields, Gloves, multi-purpose combination respirator cartridge (US)


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Hu, C. C.
Thin Solid Films, 288, 147-147 (1996)
Structural and electrical properties of low temperature polycrystalline silicon deposited using SiF4?SiH4?H2
Jin Jang
Thin Solid Films, 289, 227-227 (1996)
Quinn, L.J.
Thin Solid Films, 296, 7-7 (1997)

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