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Sigma-Aldrich

Resolve-Al La

99%

Synonym(e):

La(tmhd)3, Tris-(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionato)-lanthan

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise
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About This Item

Lineare Formel:
La(OCC(CH3)3CHCOC(CH3)3)3
CAS-Nummer:
14319-13-2
Molekulargewicht:
688.71
MDL-Nummer:
MFCD00010466
UNSPSC-Code:
12142201
PubChem Substanz-ID:
24854230
NACRES:
NA.21
Assay:
99%
bp:
370 °C (lit.)
Preise und Verfügbarkeit sind derzeit nicht verfügbar.

Assay

99%

Form

powder or crystals

bp

370 °C (lit.)

mp (Schmelzpunkt)

128-131 °C (lit.)

SMILES String

CC(C)(C)C(=O)\C=C(/O[Yb](O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)(C)C

InChI

1S/3C11H20O2.La/c3*1-10(2,3)8(12)7-9(13)11(4,5)6;/h3*7,12H,1-6H3;/q;;;+3/p-3/b3*8-7-;

InChIKey

IXHLTRHDDMSNAP-LWTKGLMZSA-K

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Rechtliche Hinweise

Lagerklassenschlüssel

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

Flammpunkt (°F)

Not applicable

Flammpunkt (°C)

Not applicable

Persönliche Schutzausrüstung

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

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Analysenzertifikate (COA)

Lot/Batch Number
MKAA3317
09209EB
08516MZ
06830AB

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MOCVD of lanthanum oxides from La (tmhd)3 and La (tmod)3 precursors: A thermal and kinetic investigation.
Bedoya C, et al.
Chem. Vap. Deposition, 12(1), 46-53 (2006)
Structural and electrical properties of a La2O3 thin film as a gate dielectric.
Jun JH, et al.
The Journal of the Korean Physical Society, 11(6) (2002)
Study on the precursors for La2O3 thin films deposited on silicon substrate.
Jun J, et al.
Journal of Materials Science Letters, 21(23), 1847-1849 (2002)

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