Przejdź do zawartości
Merck

326607

Sigma-Aldrich

Indium

beads, diam. 2-5 mm, ≥99.9% trace metals basis

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych

Wybierz wielkość

10 G
413,00 zł
50 G
1330,00 zł

413,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

Wybierz wielkość

Zmień widok
10 G
413,00 zł
50 G
1330,00 zł

About This Item

Wzór empiryczny (zapis Hilla):
In
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
114.82
Numer WE:
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12141719
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

413,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Poproś o zamówienie zbiorcze

ciśnienie pary

<0.01 mmHg ( 25 °C)

Poziom jakości

Próba

≥99.9% trace metals basis

Formularz

beads

rezystywność

8.37 μΩ-cm

Średnica

2-5 mm

mp

156.6 °C (lit.)

gęstość

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

ciąg SMILES

[In]

InChI

1S/In

Klucz InChI

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Powiązane kategorie

Kod klasy składowania

13 - Non Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Klienci oglądali również te produkty

Slide 1 of 3

1 of 3

Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed
Yongseok Kwon et al.
Organic letters, 15(4), 920-923 (2013-02-05)
This paper documents the first example of In(III)-catalyzed selective 6-exo-dig hydroarylation of o-propargylbiaryls and their subsequent double-bond migration to obtain functionalized phenanthrenes. Electron-rich biaryl substrates undergo hydroarylation more effectively, and the substrates with various types of substituents on the alkyne
R C Longo et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 25(8), 085506-085506 (2013-02-01)
Unlike graphene, a hexagonal InP sheet (HInPS) cannot be obtained by mechanical exfoliation from the native bulk InP, which crystallizes in the zinc blende structure under ambient conditions. However, by ab initio density functional theory calculations we found that a
Hwa Sub Oh et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 564-567 (2013-05-08)
We investigate Ga0.33In0.67P quantum dot structures appropriate for special lighting applications in terms of structural and optical behaviors. The Ga0.33In0.67P materials form from 2-dimentional to 3-dimensional dots as the nominal growth thickness increases from 0.5 nm to 6.0 nm, indicating
G W Shu et al.
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 15(10), 3618-3622 (2013-02-06)
Nonradiative energy transfer from an InGaN quantum well to Ag nanoparticles is unambiguously demonstrated by the time-resolved photoluminescence. The distance dependence of the energy transfer rate is found to be proportional to 1/d(3), in good agreement with the prediction of

Questions

Reviews

No rating value

Active Filters

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej