Direkt zum Inhalt
Merck

647802

Sigma-Aldrich

Silizium

wafer (single side polished), <100>, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm

Synonym(e):

Silicon element

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise


About This Item

Lineare Formel:
Si
CAS-Nummer:
Molekulargewicht:
28.09
MDL-Nummer:
UNSPSC-Code:
12352300
PubChem Substanz-ID:
NACRES:
NA.23

Form

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

Qualitätsniveau

Enthält

phosphorus as dopant

Durchm. × Dicke

3 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp (Schmelzpunkt)

1240 °C
1410 °C (lit.)

Dichte

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

Halbleitereigenschaften

<100>, N-type

SMILES String

[Si]

InChI

1S/Si

InChIKey

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

Suchen Sie nach ähnlichen Produkten? Aufrufen Leitfaden zum Produktvergleich

Physikalische Eigenschaften

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-3 - 40 Ωcm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″

Lagerklassenschlüssel

13 - Non Combustible Solids

WGK

WGK 2

Flammpunkt (°F)

Not applicable

Flammpunkt (°C)

Not applicable

Persönliche Schutzausrüstung

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


Hier finden Sie alle aktuellen Versionen:

Analysenzertifikate (COA)

Lot/Batch Number

Die passende Version wird nicht angezeigt?

Wenn Sie eine bestimmte Version benötigen, können Sie anhand der Lot- oder Chargennummer nach einem spezifischen Zertifikat suchen.

Besitzen Sie dieses Produkt bereits?

In der Dokumentenbibliothek finden Sie die Dokumentation zu den Produkten, die Sie kürzlich erworben haben.

Die Dokumentenbibliothek aufrufen

Kunden haben sich ebenfalls angesehen

Chengyong Li et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(3), 2272-2275 (2013-06-13)
Mesoporous Si-C-O fibers were fabricated by air activation of a kind of carbon-rich SiC-C fibers at 600 degrees C. The SiC-C fibers were prepared from the hybrid precursor of polycarbosilane and pitch through melt-spinning, air curing and pyrolysis in nitrogen.
Bo-Soon Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3622-3626 (2013-07-19)
A subwavelength structure (SWS) was formed via a simple chemical wet etching using a gold (Au) catalyst. Single nano-sized Au particles were fabricated by metallic self-aggregation. The deposition and thermal annealing of the thin metallic film were carried out. Thermal
Min Joon Huang et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(6), 3810-3817 (2013-07-19)
In this work, we demonstrated a silicon nanowire (SiNW) biosensing platform capable of simultaneously identifying different Dengue serotypes on a single sensing chip. Four peptide nucleic acids (PNAs), specific to each Dengue serotypes (DENV-1 to DENV-4), were spotted on different
K W Urban et al.
Physical review letters, 110(18), 185507-185507 (2013-05-21)
Newly developed achromatic electron optics allows the use of wide energy windows and makes feasible energy-filtered transmission electron microscopy (EFTEM) at atomic resolution. In this Letter we present EFTEM images formed using electrons that have undergone a silicon L(2,3) core-shell
Pil Ju Ko et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(4), 2451-2460 (2013-06-15)
The physical properties of porous materials are being exploited for a wide range of applications including optical biosensors, waveguides, gas sensors, micro capacitors, and solar cells. Here, we review the fast, easy and inexpensive electrochemical anodization based fabrication porous silicon

Unser Team von Wissenschaftlern verfügt über Erfahrung in allen Forschungsbereichen einschließlich Life Science, Materialwissenschaften, chemischer Synthese, Chromatographie, Analytik und vielen mehr..

Setzen Sie sich mit dem technischen Dienst in Verbindung.