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Merck
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911135

Sigma-Aldrich

TU-3

別名:

4,4′-(2λ4δ2-benzo[1,2-c:4,5-c′]bis[1,2,5]thiadiazole-4,8-diyldi-5,2-thiophenediyl)bis[2-dodecylbenzonitrile], 4,8-Bis [5-(4-cyano-3-alkylphenyl)-2-thienyl] benzo[1,2-c:4,5-c′] bis [1,2,5] thiadiazole

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About This Item

実験式（ヒル表記法）:
C52H60N6S4
CAS番号:
1681007-44-2
分子量:
897.33
UNSPSCコード:
12352103
NACRES:
NA.23

詳細

Decomposition temperature: 371 °C (Decomposition start temperature)
mobility = 2.3 cm2 / Vs (@Vsd=100V)
on / off ratio = 107
Structure: BG-TC @ SiO2 / Si
electrode: Au
film: TU-3 / CHCl3 spin coat

アッセイ

≥99% (HPLC)

フォーム

powder

分子量

897.33 g/mol

色

dark green

mp

291 °C

保管温度

2-8°C

アプリケーション

TU-3 is a n-type organic semiconductor material with long term (year-long) stability in air.[1] And it can be deposited from its solutions to form felxible integrated circuits in either 2D[2][1][3][4] or 3D configurations.[1]
This material achieves a high electron mobility of 2.3 cm2/Vs or more in transistors, making it highly suitable for this application. The mobility of amorphous silicon used in general LCDs and other applications is about 0.5-1cm2/Vs.

法的情報

Organic thin film transistor containing benzobis(thiadiazole) derivatives for organic electronic device by Tanaka, Yasuhiro; Kakita, Kazunari; Machida, Toshikazu From Jpn. Kokai Tokkyo Koho (2017), JP 2017079319 A 20170427.

保管分類コード

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

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A Unique Solution-Processable n-Type Semiconductor Material Design for High-Performance Organic Field-Effect Transistors
Mamada, et al.
Chemistry of Materials, 27, 141-141 (2015)
Yasunori Takeda et al.
Scientific reports, 6, 25714-25714 (2016-05-10)
Ultrathin electronic circuits that can be manufactured by using conventional printing technologies are key elements necessary to realize wearable health sensors and next-generation flexible electronic devices. Due to their low level of power consumption, complementary (CMOS) circuits using both types
Organic Complementary Inverter Circuits Fabricated with Reverse Offset Printing
Takeda Y, et al.
Advanced Electronic Materials, 4(1), 1700313-1700313 (2018)
Compact Organic Complementary D-Type Flip-Flop Circuits Fabricated with Inkjet Printing
Kazuma H, et al
Advanced Electronic Materials, 3(9), 1700208-1700208 (2019)
Jimin Kwon et al.
Nature communications, 10(1), 54-54 (2019-01-04)
Direct printing of thin-film transistors has enormous potential for ubiquitous and lightweight wearable electronic applications. However, advances in printed integrated circuits remain very rare. Here we present a three-dimensional (3D) integration approach to achieve technology scaling in printed transistor density

資料

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