647799
Silicon
wafer (single side polished), contains phosphorus as dopant, <111>, N-type, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm
Sinonimo/i:
Silicon element
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About This Item
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Stato
crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)
Livello qualitativo
contiene
phosphorus as dopant
diam. × spessore
2 in. × 0.5 mm
P. ebollizione
2355 °C (lit.)
Punto di fusione
1410 °C (lit.)
Densità
2.33 g/mL at 25 °C (lit.)
Caratteristiche del semiconduttore
<111>, N-type
Stringa SMILE
[Si]
InChI
1S/Si
XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N
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Codice della classe di stoccaggio
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