Passa al contenuto
Merck
Tutte le immagini(2)

Documenti

481769

Sigma-Aldrich

Gallium nitride

99.9% trace metals basis

Sinonimo/i:

Gallium mononitride, Gallium mononitride (GaN)

Autenticatiper visualizzare i prezzi riservati alla tua organizzazione & contrattuali


About This Item

Formula condensata:
GaN
Numero CAS:
Peso molecolare:
83.73
Numero CE:
Numero MDL:
Codice UNSPSC:
12352300
ID PubChem:
NACRES:
NA.23

Saggio

99.9% trace metals basis

Forma fisica

powder

Punto di fusione

800 °C (lit.)

Stringa SMILE

N#[Ga]

InChI

1S/Ga.N
JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N

Cerchi prodotti simili? Visita Guida al confronto tra prodotti

Categorie correlate

Applicazioni

Gallium nitride (GaN) is a wide band gap semiconducting material, which can be used in the development of a variety of electronic devices, such as light emitting diodes (LEDs), and field effect transistors (FETs). It can also be used as a transition metal dopant for spintronics-based applications.

Pittogrammi

Exclamation mark

Avvertenze

Warning

Indicazioni di pericolo

Classi di pericolo

Skin Sens. 1

Codice della classe di stoccaggio

11 - Combustible Solids

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

WGK 3

Punto d’infiammabilità (°F)

Not applicable

Punto d’infiammabilità (°C)

Not applicable

Dispositivi di protezione individuale

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type N95 (US)


Certificati d'analisi (COA)

Cerca il Certificati d'analisi (COA) digitando il numero di lotto/batch corrispondente. I numeri di lotto o di batch sono stampati sull'etichetta dei prodotti dopo la parola ‘Lotto’ o ‘Batch’.

Possiedi già questo prodotto?

I documenti relativi ai prodotti acquistati recentemente sono disponibili nell’Archivio dei documenti.

Visita l’Archivio dei documenti

I clienti hanno visto anche

Slide 1 of 1

1 of 1

Sanjay Sankaranarayanan et al.
ACS omega, 4(12), 14772-14779 (2019-09-26)
Growth of gallium nitride nanowires on etched sapphire and GaN substrates using binary catalytic alloy were investigated by manipulating the growth time and precursor-to-substrate distance. The variations in behavior at different growth conditions were observed using X-ray diffractometer, Raman spectroscopy
Gallium nitride as an electromechanical material
Rais-Zadeh M, et al.
Journal of Microelectromechanical Systems : A Joint IEEE and ASME Publication on Microstructures, Microactuators, Microsensors, and Microsystems, 23(6), 1252-1271 (2014)
Fabrizio Gaulandris et al.
Microscopy and microanalysis : the official journal of Microscopy Society of America, Microbeam Analysis Society, Microscopical Society of Canada, 26(1), 3-17 (2020-01-21)
One of the biggest challenges for in situ heating transmission electron microscopy (TEM) and scanning transmission electron microscopy (STEM) is the ability to measure the local temperature of the specimen accurately. Despite technological improvements in the construction of TEM/STEM heating
Gallium nitride processing for electronics, sensors and spintronics, 2(2), 101-104 (2006)
Gallium nitride nanowire nanodevices
Huang Y, et al.
Nano Letters, 2(2), 101-104 (2002)

Articoli

Conducting polymers such as polyaniline, polythiophene and polyfluorenes are now much in the spotlight for their applications in organic electronics and optoelectronics.

Lanthanide ions in spectral conversion enhance solar cell efficiency via photon conversion.

Il team dei nostri ricercatori vanta grande esperienza in tutte le aree della ricerca quali Life Science, scienza dei materiali, sintesi chimica, cromatografia, discipline analitiche, ecc..

Contatta l'Assistenza Tecnica.