Ugrás a tartalomra
Merck

357391

Sigma-Aldrich

Silicon carbide

−400 mesh particle size, ≥97.5%

Szinonimák:

Carbon silicide, Carborundum, Methanidylidynesilanylium, Silicon monocarbide

Bejelentkezésa Szervezeti és Szerződéses árazás megtekintéséhez


About This Item

Lineáris képlet:
SiC
CAS-szám:
Molekulatömeg:
40.10
EC-szám:
MDL-szám:
UNSPSC kód:
12352300
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

leírás

hexagonal phase

Minőségi szint

Teszt

≥97.5%

Forma

powder

részecskeméret

−400 mesh

mp

2700 °C (lit.)

sűrűség

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES string

[C-]#[Si+]

InChI

1S/CSi/c1-2

Nemzetközi kémiai azonosító kulcs

HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N

Looking for similar products? Látogasson el ide Útmutató a termékösszehasonlításhoz

Általános leírás

Silicon carbide (SiC) is a semiconducting material with closed packed stacking of double layers of silicon and carbon. It has excellent thermo-mechanical and electrical properties that make it useful in a variety of electronic and optoelectronic applications.

Alkalmazás

SiC is majorly used as a base material for applications such as micro-structures, opto-electronic devices (light emitting diodes (LEDs), UV detectors), high temperature electronics (nuclear electronics), and high frequency devices.

Tárolási osztály kódja

11 - Combustible Solids

WGK

nwg

Lobbanási pont (F)

Not applicable

Lobbanási pont (C)

Not applicable

Egyéni védőeszköz

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Válasszon a legfrissebb verziók közül:

Analitikai tanúsítványok (COA)

Lot/Batch Number

Nem találja a megfelelő verziót?

Ha egy adott verzióra van szüksége, a tétel- vagy cikkszám alapján rákereshet egy adott tanúsítványra.

Már rendelkezik ezzel a termékkel?

Az Ön által nemrégiben megvásárolt termékekre vonatkozó dokumentumokat a Dokumentumtárban találja.

Dokumentumtár megtekintése

Emanuele Rizzuto et al.
Sensors (Basel, Switzerland), 19(23) (2019-11-27)
In this paper, the characterization of the main techniques and transducers employed to measure local and global strains induced by uniaxial loading of murine tibiae is presented. Micro strain gauges and digital image correlation (DIC) were tested to measure local
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications (2014)
Properties of silicon carbide (1995)
Optical polarization of nuclear spins in silicon carbide
Falk AL, et al.
Physical Review Letters, 114(24), 247603-247603 (2015)
A high-density, high-efficiency, isolated on-board vehicle battery charger utilizing silicon carbide power devices
Whitaker B, et al.
IEEE Transactions on Power Electronics, 29(5), 2606-2617 (2013)

Cikkek

Three approaches generate white light, including LED-based down-conversion for broader applications.

Tudóscsoportunk valamennyi kutatási területen rendelkezik tapasztalattal, beleértve az élettudományt, az anyagtudományt, a kémiai szintézist, a kromatográfiát, az analitikát és még sok más területet.

Lépjen kapcsolatba a szaktanácsadással