Přejít k obsahu
Merck
Všechny fotografie(1)

Key Documents

87921

Sigma-Aldrich

Tetramethylsilane

≥99.0% (GC)

Synonyma:

TMS

Přihlásitk zobrazení cen stanovených pro organizaci a smluvních cen


About This Item

Lineární vzorec:
Si(CH3)4
Číslo CAS:
Molekulová hmotnost:
88.22
Beilstein/REAXYS Number:
1696908
EC Number:
MDL number:
UNSPSC Code:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.22

vapor pressure

11.66 psi ( 20 °C)

assay

≥99.0% (GC)

form

liquid

autoignition temp.

842 °F

refractive index

n20/D 1.358 (lit.)
n20/D 1.359

bp

26-28 °C (lit.)

mp

−99 °C (lit.)

density

0.648 g/mL at 25 °C (lit.)

storage temp.

2-8°C

SMILES string

C[Si](C)(C)C

InChI

1S/C4H12Si/c1-5(2,3)4/h1-4H3

InChI key

CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N

Hledáte podobné produkty? Navštivte Průvodce porovnáváním produktů

Application

Tetramethylsilane can be used as a silicon precursor for the synthesis of silicon doped diamond-like carbon (DLC-Si) films and silicon carbide (SiC) bulk crystals. It can also be used as a hydrocarbon substrate to study intermolecular C-H activation chemistry.

pictograms

Flame

signalword

Danger

hcodes

pcodes

Hazard Classifications

Flam. Liq. 1

Storage Class

3 - Flammable liquids

wgk_germany

WGK 3

flash_point_f

-16.6 °F - closed cup

flash_point_c

-27 °C - closed cup

ppe

Eyeshields, Faceshields, Gloves


Osvědčení o analýze (COA)

Vyhledejte osvědčení Osvědčení o analýze (COA) zadáním čísla šarže/dávky těchto produktů. Čísla šarže a dávky lze nalézt na štítku produktu za slovy „Lot“ nebo „Batch“.

Již tento produkt vlastníte?

Dokumenty související s produkty, které jste v minulosti zakoupili, byly za účelem usnadnění shromážděny ve vaší Knihovně dokumentů.

Navštívit knihovnu dokumentů

The mechanical and biocompatibility properties of DLC-Si films prepared by pulsed DC plasma activated chemical vapor deposition.
Bendavid A, et al.
Diamond and Related Materials, 16(8), 1616-1622 (2007)
Intermolecular C- H Activation of Hydrocarbons by Tungsten Alkylidene Complexes: An Experimental and Computational Mechanistic Study.
Adams CS, et al.
Organometallics, 20(23), 4939-4955 (2001)
The effects of Si incorporation on the electrochemical and nanomechanical properties of DLC thin films.
Papakonstantinou P, et al.
Diamond and Related Materials, 11(3-6), 1074-1080 (2002)
High-temperature chemical vapor deposition for SiC single crystal bulk growth using tetramethylsilane as a precursor.
Nam DH, et al.
Crystal Growth & Design, 14(11), 5569-5574 (2014)
Roy E Hoffman
Journal of magnetic resonance (San Diego, Calif. : 1997), 163(2), 325-331 (2003-08-14)
The chemical shift of TMS is commonly assumed to be zero. However, it varies by over 1 ppm for 1H and 4 ppm for 13C and shows a correlation with the physical properties of the solvent. Using the commonly accepted

Náš tým vědeckých pracovníků má zkušenosti ve všech oblastech výzkumu, včetně přírodních věd, materiálových věd, chemické syntézy, chromatografie, analytiky a mnoha dalších..

Obraťte se na technický servis.