Přejít k obsahu
Merck
Všechny fotografie(3)

Hlavní dokumenty

203424

Sigma-Aldrich

Indium(III) oxide

99.998% trace metals basis

Synonyma:

Diindium trioxide, Indium sesquioxide

Přihlásitk zobrazení cen stanovených pro organizaci a smluvních cen


About This Item

Empirický vzorec (Hillův zápis):
In2O3
Číslo CAS:
Molekulová hmotnost:
277.63
EC Number:
MDL number:
UNSPSC Code:
12352303
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

vapor pressure

<0.01 mmHg ( 25 °C)

assay

99.998% trace metals basis

form

powder

reaction suitability

reagent type: catalyst
core: indium

density

7.18 g/mL at 25 °C (lit.)

application(s)

battery manufacturing

SMILES string

O=[In]O[In]=O

InChI

1S/2In.3O

InChI key

SHTGRZNPWBITMM-UHFFFAOYSA-N

Hledáte podobné produkty? Navštivte Průvodce porovnáváním produktů

Application

  • Synthesis and Characterization: The development of gold nanoclusters on the surface of tin and indium oxide films, synthesizing new materials for advanced applications (Korotcenkov et al., 2014).
  • Photocatalysis: Using nitrogen/sulfur-codoped carbon-coated indium oxide nanoparticles as excellent photocatalysts, providing insights into environmental and energy applications (Sun et al., 2019).

Storage Class

11 - Combustible Solids

wgk_germany

WGK 3

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Vyberte jednu z posledních verzí:

Osvědčení o analýze (COA)

Lot/Batch Number

Nevidíte správnou verzi?

Potřebujete-li konkrétní verzi, můžete vyhledat daný certifikát podle čísla dávky nebo čísla šarže.

Již tento produkt vlastníte?

Dokumenty související s produkty, které jste v minulosti zakoupili, byly za účelem usnadnění shromážděny ve vaší Knihovně dokumentů.

Navštívit knihovnu dokumentů

Zákazníci si také prohlíželi

Jiefu Yin et al.
Inorganic chemistry, 51(12), 6529-6536 (2012-06-06)
We report here for the first time the hollow, metastable, single-crystal, rhombohedral In(2)O(3) (rh-In(2)O(3)) nanocrystals synthesized by annealing solvothermally prepared InOOH solid nanocrystals under ambient pressure at 400 °C, through a mechanism of the Kirkendall effect, in which pore formation
Di Chen et al.
Nanoscale, 4(10), 3001-3012 (2012-04-13)
With the features of high mobility, a high electric on/off ratio and excellent transparency, metal oxide nanowires are excellent candidates for transparent thin-film transistors, which is one of the key technologies to realize transparent electronics. This article provides a comprehensive
Ariel Amir et al.
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 109(6), 1850-1855 (2012-02-09)
Slow relaxation occurs in many physical and biological systems. "Creep" is an example from everyday life. When stretching a rubber band, for example, the recovery to its equilibrium length is not, as one might think, exponential: The relaxation is slow
Ilan Jen-La Plante et al.
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 9(1), 56-60 (2012-11-06)
Nano popcorn: a new formation mechanism for the synthesis of hollow metal oxide nanoparticles through a melt fracture mechanism. The hollow nanoparticles are formed via brittle fracture following the generation of tensile stresses arising due to liquid-phase thermal expansion of
Kelvin H L Zhang et al.
ACS nano, 6(8), 6717-6729 (2012-06-30)
The growth of In(2)O(3) on cubic Y-stabilized ZrO(2)(001) by molecular beam epitaxy leads to formation of nanoscale islands which may tilt relative to the substrate in order to help accommodate the 1.7% tensile mismatch between the epilayer and the substrate.

Sortimentní položky

Review the potential of self-assembled multilayer gate dielectric films fabricated from silane precursors for organic, inorganic, and transparent TFT and for TFT circuitry and OLED displays.

Lanthanide ions in spectral conversion enhance solar cell efficiency via photon conversion.

Náš tým vědeckých pracovníků má zkušenosti ve všech oblastech výzkumu, včetně přírodních věd, materiálových věd, chemické syntézy, chromatografie, analytiky a mnoha dalších..

Obraťte se na technický servis.