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Merck

490407

Sigma-Aldrich

Chlorpentamethyldisilan

97%

Synonym(e):

1-Chloro-1,1,2,2,2-pentamethyldisilane, Chlorodimethyl(trimethylsilyl)silane, Chloropentamethyldisilane, Pentamethylchlorodisilane

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About This Item

Lineare Formel:
(CH3)3SiSi(CH3)2Cl
CAS-Nummer:
Molekulargewicht:
166.80
EG-Nummer:
MDL-Nummer:
UNSPSC-Code:
12352300
PubChem Substanz-ID:
NACRES:
NA.23

Assay

97%

Form

liquid

Brechungsindex

n20/D 1.4415 (lit.)

bp

134-136 °C (lit.)

Dichte

0.862 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES String

C[Si](C)(C)[Si](C)(C)Cl

InChI

1S/C5H15ClSi2/c1-7(2,3)8(4,5)6/h1-5H3

InChIKey

GJCAUTWJWBFMFU-UHFFFAOYSA-N

Anwendung

Chloropentamethyldisilane may be used as one of the constituents for the sythesis of silyloxyjulolidine (SiN1) as a source of silyl radicals which may be used as photoinitiators for free radical photopolymerization.[1] It may also be used in the preparation of 2-pentamethyldisilanyloxymethyl)phenylpentamethyldisilane.[2]

Piktogramme

FlameCorrosion

Signalwort

Danger

H-Sätze

Gefahreneinstufungen

Flam. Liq. 3 - Skin Corr. 1B

Zusätzliche Gefahrenhinweise

Lagerklassenschlüssel

3 - Flammable liquids

WGK

WGK 3

Flammpunkt (°F)

102.2 °F - closed cup

Flammpunkt (°C)

39 °C - closed cup

Persönliche Schutzausrüstung

Faceshields, Gloves, Goggles, type ABEK (EN14387) respirator filter


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Silyloxyamines as sources of silyl radicals: ESR spin-trapping, laser flash photolysis investigation, and photopolymerization ability.
Versace DL, et al.
Journal of Physical Organic Chemistry, 24(4), 342-350 (2011)
Photoinduced Rearrangement Reaction of 2-(Pentamethyldisilanyloxymethyl) phenylpentamethyldisilane.
Park SK and Gong SY
Bull. Korean Chem. Soc., 31(3), 731-734 (2010)
Silyloxyamines as sources of silyl radicals: ESR spin-trapping, laser flash photolysis investigation, and photopolymerization ability.
Versace DL, et al.
Journal of Physical Organic Chemistry, 24(4), 342-350 (2011)

Artikel

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

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