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30101

Sigma-Aldrich

Ammonium fluoride

puriss. p.a., ACS reagent, ≥98%

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About This Item

Fórmula linear:
NH4F
Número CAS:
Peso molecular:
37.04
Número CE:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352302
eCl@ss:
38050106
ID de substância PubChem:

grau

ACS reagent
puriss. p.a.

Ensaio

≥98%

Formulário

solid

Impurezas

≤0.1% hexafluorosilicate (as SiF6)
≤1% ammonium hydrogen difluoride (NH4HF2)

resíduo de ignição

≤0.005% (as SO4)

traços de ânion

chloride (Cl-): ≤5 mg/kg
sulfate (SO42-): ≤50 mg/kg

traços de cátion

Cd: ≤5 mg/kg
Cu: ≤5 mg/kg
Fe: ≤5 mg/kg
K: ≤20 mg/kg
Na: ≤20 mg/kg
Pb: ≤5 mg/kg
Zn: ≤5 mg/kg

cadeia de caracteres SMILES

N.F

InChI

1S/FH.H3N/h1H;1H3

chave InChI

LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N

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Pictogramas

Skull and crossbones

Palavra indicadora

Danger

Frases de perigo

Classificações de perigo

Acute Tox. 3 Dermal - Acute Tox. 3 Inhalation - Acute Tox. 3 Oral

Código de classe de armazenamento

6.1D - Non-combustible acute toxic Cat.3 / toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects

Classe de risco de água (WGK)

WGK 1

Ponto de fulgor (°F)

does not flash

Ponto de fulgor (°C)

does not flash


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Etching processing of Si (111) and Si (100) surfaces in an ammonium fluoride solution investigated by in situ ATR-IR.
Nakamura M, et al.
Electrochimica Acta, 41(5), 681-686 (1996)
Jae Hoon Bong et al.
Nanoscale, 6(15), 8503-8508 (2014-06-21)
We report a post-synthetic n-doping method for chemical-vapor-deposition (CVD) grown graphene using wet chemical processing. An ammonium fluoride solution was found effective in converting pristine hole doping into electron doping in addition to the mobility improvement of charge carriers. We
On the Etching of Silicon by Oxidants in Ammonium Fluoride Solutions A Mechanistic Study.
Gerischer H and Lubke M.
Journal of the Electrochemical Society, 135(11), 2782-2786 (1988)
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Electrochimica Acta, 45(28), 4615-4627 (2000)
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Bioelectrochemistry (Amsterdam, Netherlands), 80(1), 17-25 (2010-05-18)
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